[发明专利]高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611140041.6 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106505102A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金荣善 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 迁移率 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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