[发明专利]芯片内高压雷击防护电路

权利要求书

1.一种芯片内高压雷击防护电路，其特征在于，该电路包括电阻Rin、电阻Rs、高压二极管DHW、硅控整流器SCR和串列结构PMOS；硅控整流器SCR内部的连接关系为PNP管q1的集电极与NPN管q2的基极相连接，PNP管q1的基极与NPN管q2的集电极相连接，电阻R1将PNP管q1的基极与发射极相连，电阻R2将NPN管q2的基极与发射极相连接，电阻Rin一端与输入端口dis连接，另一端分别与二极管DHW的阴极、电阻Rs和PNP管q1的发射极相连，电阻Rs另一端与PNP管q1的基极以及6个串联的栅源连接的pmos管P1的源极相连，二极管DHW的阳极、NPN管q2的发射极和P6的漏极连接至地。

2.如权利要求1所述的芯片内高压雷击防护电路，其特征在于，电阻Rin，用于限制电流，该电阻可根据实际需要选择合适阻值，阻值可选择1kΩ～10kΩ，

电阻Rs，用于加速SCR结构泄电流，该电阻可根据实际需要选择合适阻值，

阻值可选择2Ω～10Ω，

高压二极管DHW，用于钳位电路；该高压二极管所需耐压值为端口耐压值的120％，

SCR结构，用于快速泄放端口电流；

串列结构PMOS，采用串列的二极管连接方式，用于电路耐压，保护芯片。