[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个源极漏极结构、至少一个底部导体、以及第一介电层。第一栅极结构存在于衬底上。源极漏极结构存在于衬底上。底部导体电连接至源极漏极结构。底部导体具有上部部分和介于上部部分与源极漏极结构之间的下部部分，并且间隙至少存在于底部导体的上部部分与第一栅极结构之间。第一介电层至少存在于底部导体的下部部分与第一栅极结构之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，例如，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。

词语“互连件”在集成电路中是指连接各个电子组件的导线。除了在接触区域上，互连导线通过绝缘层与衬底分隔开。随着部件密度增加，互连结构的导线的宽度和导线之间的间隔也缩的更小。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个源极漏极结构，存在于所述衬底上；至少一个底部导体，连接至所述源极漏极结构，所述底部导体具有上部部分和介于所述上部部分与所述源极漏极结构之间的下部部分，其中，间隙至少存在于所述底部导体的上部部分与所述第一栅极结构之间；以及第一介电层，至少存在于所述底部导体的下部部分与所述第一栅极结构之间。

本发明的实施例还提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个源极漏极结构，存在于所述衬底上；至少一个底部导体，电连接至所述源极漏极结构，其中，间隙至少存在于所述底部导体与所述第一栅极结构之间；以及介电层，至少存在于所述底部导体与所述第一栅极结构之间以及所述间隙与所述源极漏极结构之间。

本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：在至少一个栅极结构和至少一个源极漏极结构上形成第一介电层；在所述第一介电层中至少部分地形成至少一个凹槽；在所述凹槽的至少一个侧壁上至少形成保护层；加深所述凹槽以暴露所述源极漏极结构；在所述凹槽中形成底部导体，其中，所述底部导体电连接至所述源极漏极结构；以及去除所述保护层以在所述底部导体与所述凹槽的侧壁之间形成间隙。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个实施例。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图11是根据本发明一些实施例的在各个阶段中用于制造半导体结构的方法的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。