[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆的有源区中形成有目标图案，在所述第一晶圆的表面上以及所述目标图案的表面上还形成有第一接合界面层；

提供第二晶圆，在所述第二晶圆的表面上形成有第二接合界面层；

将所述第二晶圆的第二接合界面层和所述第一晶圆的第一接合界面层相接合；

蚀刻所述第二晶圆、所述第二接合界面层和至少部分厚度的所述第一接合界面层以形成虚拟开口，所述虚拟开口至少穿过部分厚度的所述第一接合界面层，以释放所述第一晶圆与第二晶圆相接合中产生的应力。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟开口的位置与所述第一晶圆的周围区对应。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟开口贯穿整个所述第一接合界面层，以露出所述第一晶圆的表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为湿法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一接合界面层包括热氧化物层；

所述第二接合界面层包括热氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在所述第二晶圆中的MEMS区域中形成孔的步骤，所述孔露出所述第一晶圆的表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述目标图案的步骤包括：

提供初始的第一晶圆，在所述初始的第一晶圆上形成图案化的掩膜层；

以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述初始的第一晶圆，以在所述初始的第一晶圆中形成若干相互间隔的凹槽，以形成所述目标图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第二晶圆和所述第一晶圆相接合之后、形成所述虚拟开口之前所述方法还进一步包括对所述第二晶圆进行减薄的步骤。

9.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

第一晶圆；

目标图案，位于所述第一晶圆的有源区中；

第一接合界面层，位于所述目标图案和所述第一晶圆的表面上；

第二晶圆，所述第二晶圆的表面上具有第二接合界面层，所述第一接合界面层和所述第二接合界面层相接合；

虚拟开口，蚀刻所述第二晶圆、所述第二接合界面层和至少部分厚度的所述第一接合界面层以形成所述虚拟开口，所述虚拟开口位于所述第二晶圆中并至少贯穿部分厚度的所述第一接合界面层。

10.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述虚拟开口的位置与所述第一晶圆的周围区对应。

11.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述虚拟开口贯穿整个所述第一接合界面层，以露出所述第一晶圆的表面。

12.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还包括：

孔，位于所述第二晶圆中的MEMS区域，所述孔露出所述第一晶圆的表面。

13.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9至12之一所述的MEMS器件。