[发明专利]多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法

权利要求书

1.一种多孔硅基气体传感器，其特征在于：所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅；所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通，且所述下层多孔硅底部封闭；所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中；所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径。

2.根据权利要求1所述的多孔硅基气体传感器，其特征在于：所述上层多孔硅包括大孔及介孔中的至少一种；所述下层多孔硅包括介孔及微孔中的至少一种；所述微孔的孔径小于2nm，所述介孔的孔径范围是2～50nm，所述大孔的孔径大于50nm。

3.根据权利要求1所述的多孔硅基气体传感器，其特征在于：所述双层改性多孔硅改性前是由单晶硅片在氢氟酸基溶液中进行阳极氧化获得。

4.根据权利要求1所述的多孔硅基气体传感器，其特征在于：所述双层改性多孔硅的改性方法包括：气相法或液相法。

5.如权利要求1-4任意一项所述的多孔硅基气体传感器应用于气体检测的方法，其特征在于：利用所述双层改性多孔硅累积吸附被测气体，并通过测量吸附过程中所述双层改性多孔硅的电容变化，得到被测气体的浓度变化。

6.根据权利要求5所述的多孔硅基气体传感器应用于气体检测的方法，其特征在于：持续或者根据预设时间间隔不断测量所述双层改性多孔硅的电容。

7.根据权利要求5所述的多孔硅基气体传感器应用于气体检测的方法，其特征在于：当所述多孔硅基气体传感器断电时，气体吸附依旧进行，在恢复通电后，通过测量所述双层改性多孔硅的电容值，并与断电前测得的双层改性多孔硅的电容值进行比较，得到断电期间被测气体的浓度变化。

8.根据权利要求5所述的多孔硅基气体传感器应用于气体检测的方法，其特征在于：所述被测气体为挥发性盐基氮，用以根据肉类释放的挥发性盐基氮的浓度变化检测肉类新鲜度。

9.根据权利要求5所述的多孔硅基气体传感器应用于气体检测的方法，其特征在于：所述被测气体为乙烯，用以根据水果释放的乙烯的浓度变化检测水果成熟度。