[发明专利]一种在GaN表面生长高K介质的方法在审
| 申请号： | 201611141283.7 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106653591A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙)44351 | 代理人： | 韩绍君 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 表面 生长 介质 方法 | ||
1.本发明公布了一种在GaN表面生长高K介质的方法，具体步骤如下：(1)对GaN表面进行常规有机清洗、RCA清洗；(2)采用ALD的方法生长一层AlON介质；(3)再生长一层HfAlON介质，(4)再生长一层HfO2介质；(5)最后进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所示的一种在GaN表面生长高K介质的方法，其特征在于：在步骤(2)中AlON介质的生长的具体过程如下：生长纬度为300度，ALD生长的前躯体为三甲基铝(TMA)、水、氨气；生长顺序氨气前躯体处理-氮气-三甲基铝处理-氮气-水汽处理-氮气，生长5个周期。
3.根据权利要求1所示的一种在GaN表面生长高K介质的方法，其特征在于：在步骤(3)中HfAlON介质的生长的具体过程如下：生长纬度为300度，ALD生长的前躯体为三甲基铝(TMA)、氯化铪、水、氨气；生长顺序氨气前躯体处理-氮气-三甲基铝处理-氮气-水汽处理-氮气-氯化铪-氮气，生长5个周期。
4.根据权利要求1所示的一种在GaN表面生长高K介质的方法，其特征在于：在步骤(4)中HfO2介质的生长的具体过程如下：生长纬度为300度，ALD生长的前躯体为氯化铪、臭氧；生长顺序臭氧-氮气-氯化铪-氮气，HfO2的厚度为20纳米。
5.根据权利要求1所示的一种在GaN表面生长高K介质的方法，其特征在于：步骤(5)中对生长的介质层进行高温退火结晶，退火温度为600-650度，退火气氛为氮气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
