[发明专利]非易失性存储器设备和操作非易失性存储器设备的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：

从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及

对第一选择晶体管的第一阈值电压执行第一检查操作，

其中，执行第一检查操作包括：

将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及

当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作，

在执行编程操作之后将第一阈值电压与第一上限参考电压水平比较，

当第一阈值电压高于第一上限参考电压水平时，将NAND串或包括NAND串的存储块处理为坏NAND串或坏块，其中，当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的第一检查操作结束。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对多个选择晶体管当中的第二选择晶体管的第二阈值电压执行第二检查操作。

3.如权利要求1所述的方法，其中，当在第一检查操作期间激活挂起模式时，仅在将第一阈值电压与第一上限参考电压水平比较之后结束第一检查操作。

4.如权利要求1所述的方法，其中，当将包括第一选择晶体管的NAND串处理为坏NAND串时或当将包括NAND串的存储块处理为坏块时，不检查坏NAND串或坏块中包括的多个选择晶体管当中的剩余选择晶体管的阈值电压。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在对多个选择晶体管当中的第二选择晶体管的第二阈值电压的第二检查操作之前，执行将第一阈值电压与第一上限参考电压水平比较。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：当第一阈值电压等于或低于第一上限参考电压水平时，对多个选择晶体管当中的第二选择晶体管的第二阈值电压执行第二检查操作。

7.如权利要求1所述的方法，其中，多个选择晶体管包括至少一个串选择晶体管和至少一个接地选择晶体管。

8.如权利要求7所述的方法，其中，至少一个串选择晶体管包括与NAND串中包括的多个存储单元邻近的上串选择晶体管和下串选择晶体管，并且

从上串选择晶体管、下串选择晶体管和至少一个接地选择晶体管当中选择第一选择晶体管。

9.如权利要求1所述的方法，其中，第一选择晶体管是可编程单元型晶体管。

10.一种操作包括彼此可独立控制的第一存储器平面和第二存储器平面的非易失性存储器设备的方法，其中，第一存储器平面和第二存储器平面中的每个包括多个存储块，并且多个存储块中的每个包括多个NAND串，所述方法包括：

从第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第一存储块的第一NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；

检查第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第一选择晶体管的第一阈值电压是否在第一下限参考电压水平和第一上限参考电压水平之间的第一参考电压范围内；

当第一存储器平面的第一选择晶体管的第一阈值电压高于第一上限参考电压水平时，将第一存储器平面的第一存储块处理为坏块；以及

当第二存储器平面的第一选择晶体管的第一阈值电压高于第一上限参考电压水平时，将第二存储器平面的第一存储块处理为坏块；

其中，当第一存储器平面的第一存储块和第二存储器平面的第一存储块两者都被处理为坏块时，跳过对多个选择晶体管当中的剩余选择晶体管的检查操作。

11.如权利要求10所述的方法，当第一存储器平面的第一存储块和第二存储器平面的第一存储块两者都未被处理为坏块时，所述方法还包括：

从第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第一存储块的第一NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第二选择晶体管；以及

检查第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第二选择晶体管的第二阈值电压是否在第二参考电压范围内。