[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括主表面和背面；

一个或多个电接触，所述一个或多个电接触位于所述主表面上；以及

介电分隔，所述介电分隔用于将所述基板的第一部分与所述基板的第二部分电隔离，其中所述介电分隔从所述主表面延伸穿过所述基板到所述背面；

其特征在于，所述介电分隔被成形以限定所述基板中的至少一个联锁部分，其中所述联锁部分包括位于所述介电分隔的一侧上的锁定构件和位于所述介电分隔的相对侧上的开口，其中所述锁定构件被收容在所述开口内，以抑制所述介电分隔电隔离的所述基板的所述部分的物理分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半导体装置的有源区域，并且其中所述基板的所述第二部分包括在所述主表面和所述背面之间延伸的所述基板的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半导体装置的第一有源区域，并且其中所述基板的所述第二部分包括所述半导体装置的第二有源区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个联锁部分的所述锁定构件包括颈部部分和头部分，其中所述开口包括嘴部分，所述锁定构件的所述颈部部分被收容在所述嘴部分内，并且其中当从所述主表面上方查看时，所述锁定构件的所述头部分至少与所述开口的所述嘴部分一样宽，以防止从所述开口移除所述头部分。

5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括至少一个另外的介电分隔，其中所述介电分隔中的至少一些介电分隔相交。

6.一种包括根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置的芯片规模封装。

7.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有主表面和背面的晶片；

形成从所述主表面至少部分地延伸穿过所述晶片的沟槽；

用介电质至少部分地填充所述沟槽；

在所述主表面上形成多个电接触；

从所述晶片的所述背面去除材料，至少直至曝露所述沟槽的底部；以及

切单所述晶片以形成多个半导体基板，其中所述基板中的至少一个基板包括由所述介电质填充的沟槽形成的介电分隔，其中所述介电分隔将所述基板的第一部分与所述基板的第二部分电隔离；

其特征在于，所述介电分隔被成形以限定所述基板中的至少一个联锁部分，其中所述联锁部分包括位于所述介电分隔的一侧上的锁定构件和位于所述介电分隔的相对侧上的开口，其中所述锁定构件被收容在所述开口内，以抑制所述介电分隔电隔离的所述基板的所述部分的物理分离。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板中的所述至少一个基板的所述第一部分包括所述半导体装置的有源区域，并且其中所述基板的所述第二部分包括所述基板的侧壁，所述基板的所述侧壁在与所述晶片的所述主表面和背面对应的所述基板的主表面和背面之间延伸。