[发明专利]一种多晶硅片的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：包括以下步骤：

A、多晶硅绒面制备；

B、高温扩散；

C、湿刻蚀；

D、PECVD镀膜；

E、丝网印刷；

F、分选测试；

G、包装入库。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：所述步骤A中多晶硅绒面制备工艺包括以下步骤：

A、将硅片放入氢氟酸与硝酸的混合液中进行腐蚀，直至表面氧化层全部清除为止；

B、将腐蚀后的硅片放入去离子水中冲洗，冲洗时间为30min；

C、之后将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗30min；

D、再将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合液中进行腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗60min；

E、最后用氮气将硅片吹干。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：所述步骤B中高温扩散方法包括以下步骤：

A、将需要进行高温扩散的硅片放入扩散炉中进行缓慢升温；

B、 升温过程中通入氮气、氧气和三氯氧磷进行磷扩散，通入氮气的流量为10-20L/min；先升温至800℃-900℃，恒温扩散20min；再升温至1000℃-1100℃，恒温扩散30min，再升温至1300℃扩散60min；

C、将扩散炉缓慢降温，取出硅片，完成扩散。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：所述步骤C中湿刻蚀的工艺包括以下步骤：

A、将扩散后的硅片的正面朝下放置与氢氟酸溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射纯氮气；且喷射的纯氮气流量为30-40L/min；

B、硅片与氢氟酸溶液反应100s-300s，取出硅片用去离子水冲洗干净，完成刻蚀。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：所述PECVD镀膜方法包括以下步骤：

A、将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在300-500℃的温度下，先后完成抽真空、氨气清洗、氮气吹扫；随后通硅烷制备内层氮化硅膜；

B、在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入硅烷和一氧化二氮制备二氧化硅膜；

C、随后通入硅烷和氨气制备外层氮化硅膜，即实现PECVD镀膜。