[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611146086.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231872A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 覆盖层 衬底 半导体 金属栅极 扩散阻挡能力 掺杂离子 器件性能 电阻 制造 扩散 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属栅极；以及位于所述金属栅极与所述半导体衬底之间的覆盖层，所述覆盖层包括Ge掺杂离子。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层包括位于栅介质层与功函数层之间的第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层包括Ge掺杂离子。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述第一扩散阻挡层与所述功函数层之间的第二扩散阻挡层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层包括位于功函数层与金属栅极之间的第三扩散阻挡层，所述第三扩散阻挡层包括Ge掺杂离子。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述第三扩散阻挡层与所述功函数层之间的第四扩散阻挡层。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一扩散阻挡层包括TiGeN层。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第三扩散阻挡层包括TiGeN层。
8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二扩散阻挡层包括TiN层。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第四扩散阻挡层包括TiN层。
10.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一扩散阻挡层与所述第二扩散阻挡层的厚度比为2-3。
11.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第三扩散阻挡层与所述第四扩散阻挡层的厚度比为2-3。
12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成覆盖层，所述覆盖层包括Ge掺杂离子；在所述覆盖层上形成金属栅极。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括位于栅介质层与功函数层之间的第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层包括Ge掺杂离子。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括位于所述第一扩散阻挡层与所述功函数层之间的第二扩散阻挡层。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括位于功函数层与金属栅极之间的第三扩散阻挡层，所述第三扩散阻挡层包括Ge掺杂离子。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括位于所述第三扩散阻挡层与所述功函数层之间的第四扩散阻挡层。
17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层包括TiGeN层。
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第三扩散阻挡层包括TiGeN层。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二扩散阻挡层包括TiN层。
20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第四扩散阻挡层包括TiN层。
21.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层与所述第二扩散阻挡层的厚度比为2-3。
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