[发明专利]有机发光显示器有效
申请号: | 201611146942.6 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN106935625B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 郑棋永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/3208;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 | ||
公开了一种有机发光显示器。所述有机发光显示器包括:第一基板;位于第一基板上的半导体层;位于半导体层上的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的栅极金属层;第二绝缘层,所述第二绝缘层具有暴露栅极金属层的一部分的接触孔;源极‑漏极金属层,所述源极‑漏极金属层位于第二绝缘层上并且经由所述接触孔电连接至栅极金属层;位于源极‑漏极金属层上的第三绝缘层;位于第三绝缘层上的第四绝缘层;和位于第四绝缘层上的像素电极,其中所述第四绝缘层完全覆盖所述接触孔,并且由所述第四绝缘层导致的所述像素电极的台阶部分与所述接触孔分隔开。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光显示器。
背景技术
近来,正在开发比阴极射线管(CRT)体积小重量轻的各种平板显示器。平板显示器的例子包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)等。在这些类型的平板显示器之中,有机发光显示器是通过有机化合物的激发来发光的自发光显示器。有机发光二极管显示器不需要LCD中使用的背光就能工作,因而它们能够更轻更薄并且能够以简化的工艺制备。此外,有机发光二极管显示器能够以低温制造,具有1ms或更小的快速响应时间,并且特征在于低功耗、宽视角和高对比度。
有机发光显示器包括位于作为阳极的第一电极与作为阴极的第二电极之间的有机材料的发光层。如此,来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在发光层中复合形成激子,即空穴-电子对。然后,随着激子返回基态,产生能量,由此导致有机发光显示器发光。根据光离开装置的方向,有机发光显示器可分为底部发光型装置和顶部发光型装置。在底部发光型装置的情形中,光向着基板的底部,即从发光层起向着第一电极而离开。在顶部发光型装置的情形中,光向着基板的顶部,即从发光层起向着第二电极而离开。
随着分辨率越来越高的显示器成为可用,它们需要更小的像素尺寸。因而,对于在有限空间内要求电路配置的布局来说,设计极限要求变得更加严格。在该情形中,存在需要解决的一些问题(结构上的弱点),包括由于电极之间的短路而不能形成电容器,造成电容器消失。
发明内容
本公开内容进行了努力来解决在实现具有UHD或更高分辨率的显示面板时,对于在子像素的有限空间内要求电路配置的布局来说,因为设计极限要求更加严格而发生的由于电极之间的短路而不能形成电容器,造成电容器消失的问题。
在一个方面中,提供了一种有机发光显示器,包括:第一基板;位于所述第一基板上的半导体层;位于所述半导体层上的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的栅极金属层;第二绝缘层,所述第二绝缘层具有暴露所述栅极金属层的一部分的接触孔;源极-漏极金属层,所述源极-漏极金属层位于所述第二绝缘层上并且经由所述接触孔电连接至所述栅极金属层;位于所述源极-漏极金属层上的第三绝缘层;位于所述第三绝缘层上的第四绝缘层;和位于所述第四绝缘层上的像素电极,其中所述第四绝缘层完全覆盖所述接触孔,并且由所述第四绝缘层导致的所述像素电极的台阶部分与所述接触孔分隔开。
所述第四绝缘层是平坦化膜,所述平坦化膜由有机材料制成并且使所述第四绝缘层下方的不规则性变平坦。
所述第二绝缘层在所述栅极金属层的边缘上具有第一台阶部分,并且所述第四绝缘层覆盖所述第二绝缘层的所述第一台阶部分。
所述源极-漏极金属层沿所述第二绝缘层的所述第一台阶部分具有第二台阶部分,并且所述第四绝缘层覆盖所述源极-漏极金属层的所述第二台阶部分。
所述第三绝缘层沿所述源极-漏极金属层的所述第二台阶部分具有第三台阶部分,并且所述第四绝缘层覆盖所述第三绝缘层的所述第三台阶部分。
所述第一台阶部分、所述第二台阶部分和所述第三台阶部分彼此相邻设置。
所述栅极金属层是岛形的。
所述第四绝缘层以包围所述接触孔的周边区域的方式成形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的