[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611147363.3 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108231790B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 宋艳芹;胡思明;杨楠;张九占 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶硅区块 显示装置 第一导电层 补偿电容 多晶硅层 栅极绝缘层 数据线 图形化 制造 衬底 线段 电路连接 交叠区域 扫描线 交叠 离子 掺杂 占用 | ||
本发明提供了一种显示装置及其制造方法,其中,所述显示装置的制造方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一多晶硅层;图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块;对所述多个多晶硅区块进行离子注入;在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容。在本发明实施例提供的显示装置及其制造方法中,利用掺杂有杂质的多晶硅层与第一导电层的交叠区域形成补偿电容,以减少所述补偿电容的占用面积,从而避免扫描线无法与GIP电路连接的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来,随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用,人们对电子产品的依赖性与日俱增,更带来各种显示技术及显示装置的蓬勃发展。显示装置具有完全平面化、轻、薄、省电等特点,因此得到了广泛的应用。
为了降低显示装置的制造成本并藉此实现窄边框的目的,在制造过程中通常采用GIP(Gate in Panel,门面板)技术,直接将栅极驱动电路(即GIP电路)集成于显示屏上。显示屏通常包括用于显示图像的显示区域和围绕显示区域的非显示区域,所述显示区域中设置有多条扫描线和多条数据线,所述扫描线和数据线交叉限定出多个呈矩阵排列的像素单元,所述非显示区域中设置有GIP电路,所述GIP电路通过扫描线与所述像素单元连接。
随着显示技术的发展,显示屏的形状也向多元化方向发展,除了传统的矩形之外,还有多边形、圆形等形状。例如,手表采用圆形的显示屏。在矩形的显示屏中,每行像素的个数以及每列像素的个数通常是一致的。而在多边形或圆形的显示屏中,每行像素的个数以及每列像素的个数是不一致的。
由于每列像素个数不一致,因此数据线上的寄生电容不一致,进而造成显示装置出现显示不均现象。为此,需要在显示装置中设置补偿电容,利用所述补偿电容对寄生电容进行补偿,才能获得显示均匀的图像。然而,现有的显示装置中补偿电容的占用面积较大,导致扫描线无法与GIP电路连接,不利于的窄边框实现。
基此,如何解决现有的显示装置由于补偿电容的占用面积过大,导致扫描线无法与GIP电路连接的问题,成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置及其制造方法,以解决现有技术中显示装置由于补偿电容的占用面积过大,导致扫描线无法与GIP电路连接的问题。
为解决上述问题,本发明提供一种显示装置的制造方法,所述显示装置的制造方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成一多晶硅层;
图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块;
对所述多个多晶硅区块进行离子注入;
在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及
图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容。
可选的,在所述的显示装置的制造方法中,在图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块的同时,还包括:图形化所述多晶硅层以形成多个像素电容的第一极板以及多个薄膜晶体管的源极和漏极。
可选的,在所述的显示装置的制造方法中,在对所述多个多晶硅区块进行离子注入的同时,还包括:对所述多个像素电容的第一极板进行离子注入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的