[发明专利]一种测试结构及其布设方法

权利要求书

1.一种测试结构，应用于晶片允收测试过程，其特征在于，包括：

n个焊盘；

下部电路；

所述焊盘包括一第一焊盘，一第二焊盘和多个第三焊盘；

每个所述下部电路包括数量相同且按方位分布的多个NMOS晶体管；

第一组连线，将所有所述NMOS晶体管的源极并联至所述第一焊盘上；

第二组连线，将所有所述NMOS晶体管的衬底并联至所述第二焊盘上；

第三组连线，将所有所述NMOS晶体管的栅极和漏极分别连接至n-2个所述第三焊盘上，使得在所述第一焊盘和所述第二焊盘测试通电的情况下，每2个所述第三焊盘测试通电时仅得到单个所述NMOS晶体管的测试数据并且每个所述NMOS晶体管的测试数据均能通过n-2个所述第三焊盘两两组合测试得到；

其中，将同一个所述NMOS晶体管的栅极和漏极配对，并分配至剩下的n-2个第三焊盘中的任意2个不同的第三焊盘上。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：

层叠的多个介质层，每个所述焊盘位于处于顶层的所述介质层中，每个所述下部电路位于处于底层的所述介质层的底部；

互连金属，填埋于所述介质层中，层间相邻的所述互连金属通过通孔相连；

所述第一组连线，所述第二组连线和所述第三组连线分别通过层叠的所述通孔和所述互连金属形成。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述焊盘为铝制焊盘。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每个所述下部电路中包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管设置于所述焊盘的中间位置，所述第二NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管和所述第五NMOS晶体管分别分布于所述第一NMOS晶体管的上侧，下侧，左侧和右侧。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述焊盘的数量大于或等于15个。

6.一种测试结构的布设方法，应用于晶片允收测试过程，其特征在于，包括：

步骤S1，设置n个焊盘并于每个所述焊盘底部设置一个下部电路，所述焊盘包括一第一焊盘，一第二焊盘和多个第三焊盘；

步骤S2，于每个所述下部电路中设置数量相同且按方位分布的多个NMOS晶体管；

步骤S3，采用第一组连线将所有所述NMOS晶体管的源极并联至所述第一焊盘上；

采用第二组连线将所有所述NMOS晶体管的衬底并联至所述第二焊盘上；

采用第三组连线将所有所述NMOS晶体管的栅极和漏极分别连接至n-2个所述第三焊盘上，使得在所述第一焊盘和所述第二焊盘测试通电的情况下，每2个所述第三焊盘测试通电时仅得到单个所述NMOS晶体管的测试数据并且每个所述NMOS晶体管的测试数据均能通过n-2个所述第三焊盘两两组合测试得到。

7.根据权利要求6所述的布设方法，其特征在于，具体地还包括：

制备层叠的多个介质层，将每个所述焊盘制备于顶层的所述介质层中，并且将每个所述下部电路制备于底层的所述介质层的底部；

制备互连金属填埋于所述介质层中，采用通孔将层间相邻的所述互连金属相连；

所述第一组连线，所述第二组连线和所述第三组连线分别通过层叠的所述通孔和所述互连金属形成。

8.根据权利要求6所述的布设方法，其特征在于，所述焊盘为铝制焊盘。

9.根据权利要求6所述的布设方法，其特征在于，每个所述下部电路中包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管设置于所述焊盘的中间位置，所述第二NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管和所述第五NMOS晶体管分别分布于所述第一NMOS晶体管的上侧，下侧，左侧和右侧。

10.根据权利要求9所述的布设方法，其特征在于，所述焊盘的数量大于或等于15个。