[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅太阳能电池包括具有紧密连接的P层(1)和N层(2)的电池体，N层(2)的表面上设有三角形绒面层(21)，P层(1)远离N层(2)的一侧处设有铝背场(11)，P层(1)和N层(2)上分别设有正电极(22)和背电极(12)，P层(1)上设有至少两个均匀分布的钝化层(3)，相邻钝化层(3)之间设有硼掺杂层(4)。

2.根据权利要求1所述晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述钝化层(3)为紧密相连的氧化铝层(31)和氮化硅层(32)。

3.一种如权利要求1所述晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法的步骤如下：

步骤1：利用强酸或强碱对硅片表面进行腐蚀性清洗和制绒，使硅片表面形成三角形绒面并实施扩散；

步骤2：对硅片背面进行抛光、刻蚀和去除玻璃杂质处理；

步骤3：通过等离子体化学气相沉积使硅片正面形成氮化硅薄膜；

步骤4：通过化学蒸汽薄膜沉积使硅片背面形成氧化铝薄膜；

步骤5：通过等离子体化学气相沉积使硅片背面形成氮化硅薄膜；

步骤6：通过旋转涂擦机在步骤5中的氮化硅薄膜处均匀涂擦丙三醇硼源；

步骤7：在步骤6中的丙三醇硼源处进行激光开孔，使开孔处出现重硼掺杂；

步骤8：利用去离子水清洗硅片，以去除残余硼源；

步骤9：把硅片进行丝网印刷和烧结成型。

4.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的强酸为氢氟酸或氯化氢，强碱为氢氧化钠。

5.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤2中硅片刻蚀时的刻蚀剂为硝酸和氢氟酸混合物，硝酸和氢氟酸的摩尔比为3:(11-1)，抛光、刻蚀和去除玻璃杂质等过程的传输以带式传动机构实现，传输速度为1.5-2.5m/min。

6.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤3的氮化硅薄膜厚度为70-140nm。

7.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤4的氧化铝薄膜的厚度为10-30nm。

8.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤5的氮化硅薄膜厚度为80-130nm。

9.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤6中的丙三醇硼源为硼酸饱和溶解于丙三醇内的混合物，硼原子含量为3X10²¹-3.5X10²¹atoms/cm³。

10.根据权利要求3所述晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤7中重硼掺杂面积占氧化铝薄膜面积的2％-16％。