[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器

权利要求书

1.一种非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅的长度大于第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等；所述第一光栅和第二光栅分别包括相邻相移结构设置的第一均匀段光栅，所述第一光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅；所述第一光栅及第二光栅的第一均匀段光栅的长度相等，占空比均保持恒定。

2.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

3.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第二光栅全部或部分为第一均匀段光栅，当所述第二光栅部分为第一均匀段光栅时，所述第二光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅。

4.根据权利要求1或3所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<1.0，其中：

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<0.5时，所述第一均匀段光栅的占空比均小于a，或均大于1-a，或分别小于a及大于1-a且占空比之和为1；

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，a=0.5时，所述第一均匀段光栅的占空比均不等于0.5，且占空比相等或占空比之和为1；

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0.5<a<1时，所述第一均匀段光栅的占空比均大于a，或均小于1-a，或分别大于a及小于1-a且占空比之和为1。

5.一种DFB半导体激光器，所述DFB半导体激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延层，DFB激光腔包括依次设置的光栅刻蚀阻止层、相移光栅、光栅覆盖层，其特征在于，所述相移光栅包括相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅的长度大于第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等；所述第一光栅和第二光栅分别包括相邻相移结构设置的第一均匀段光栅，所述第一光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅；所述第一光栅及第二光栅的第一均匀段光栅的长度相等，占空比均保持恒定。

6.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

7.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第二光栅全部或部分为第一均匀段光栅，当所述第二光栅部分为第一均匀段光栅时，所述第二光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅。

8.根据权利要求5或7所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<1.0，其中：

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<0.5时，所述第一均匀段光栅的占空比均小于a，或均大于1-a，或分别小于a及大于1-a且占空比之和为1；

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，a=0.5时，所述第一均匀段光栅的占空比均不等于0.5，且占空比相等或占空比之和为1；

当第二均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0.5<a<1时，所述第一均匀段光栅的占空比均大于a，或均小于1-a，或分别大于a及小于1-a且占空比之和为1。

9.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器的两侧端面均镀有抗反射膜。

10.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器为掩埋异质结型激光器或脊波导型激光器。