[发明专利]一种有机发光显示面板、装置及制备方法有效
申请号: | 201611149588.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN106601772B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 刘丽媛;楚海港;熊志勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 制备 方法 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的多个像素驱动电路和多个发光结构;
每一像素驱动电路位于对应的所述像素发光结构与衬底基板之间,且所述像素驱动电路与对应的所述发光结构电连接;
其中,每n行所述发光结构为一排布周期;不同所述排布周期中相同行序号的所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于同一层;同一排布周期中相邻的两行所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于不同层;n为大于或等于2的正整数;
所有所述发光结构均位于同一层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,前一行所述发光结构对应的所述像素驱动电路所在膜层与后一行所述发光结构对应的所述像素驱动电路所在膜层之间设置有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述绝缘层的材料为SiO2、SiNx或透明树脂。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,相邻的两行所述发光结构对应的所述像素驱动电路部分交叠。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括:栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器;
每行所述发光结构对应的所述移位寄存器与该行所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于同一层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括:栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器;所述多个级联的移位寄存器位于同一层。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括多条扫描线,参考电压线,多条电源线和多条数据线;
同层设置的同一行所述像素驱动电路共用一条扫描线;
同层设置的同一列所述像素驱动电路共用一条电源线;
同层设置的同一列所述像素驱动电路共用一条数据线;
各层中的所述参考电压线呈网格状分布并电连接至位于该层的各像素驱动电路中,用以向各像素驱动电路提供参考电压信号。
8.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的有机发光显示面板。
9.一种有机发光显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成多个像素驱动电路以及多个发光结构;
其中,每n行所述发光结构为一排布周期;不同所述排布周期中相同行序号的所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于同一层;同一排布周期中相邻的两行所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于不同层;n为大于或等于2的正整数;
所述在衬底基板上形成多个像素驱动电路以及多个发光结构,包括:
在所述衬底基板上形成不同排布周期中第一行发光结构对应的像素驱动电路以及覆盖所述像素驱动电路的第一绝缘层;
按照所述排布周期中行序号递增顺序,直至在所述衬底基板上形成不同排布周期中第n行发光结构对应的像素驱动电路以及覆盖所述像素驱动电路的第n绝缘层;
形成漏出各所述像素驱动电路的多个第一过孔;
在所述第n绝缘层上形成多个发光结构;其中,所有所述发光结构均位于同一层;所述发光结构通过所述第一过孔与对应的所述像素驱动电路电连接。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述有机发光显示面板还包括栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器;每行所述发光结构对应的所述移位寄存器与该行所述发光结构对应的所述像素驱动电路位于同一层;
在形成每行所述发光结构对应的所述像素驱动电路的同时,还包括:形成每行所述发光结构对应的所述移位寄存器。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述有机发光显示面板还包括栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器;所述多个级联的移位寄存器位于同一层;
在形成任意一行所述发光结构对应的所述像素驱动电路的同时,还包括:
形成所述多个级联的移位寄存器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的