[发明专利]一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：该方法是通过改变VDMOS器件的栅下耗尽区结构，即在所述栅下耗尽区通过离子注入工艺掺入P型离子，从而获得抗单粒子烧毁的VDMOS器件。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：

(1)在外延片上定义有源区之后，在其上依次生长栅氧化层和多晶硅层，再通过光刻和腐蚀的方法刻出栅极形状，同时确定P阱区形状；

(2)在P阱区采取自对准离子注入工艺注入P型离子，然后通过热推进工艺形成P体区；

(3)在P体区通过光刻腐蚀的方法刻出NSD区域，通过离子注入掺入N型离子，进行退火后形成N+源区；

(4)在栅氧化层上方的多晶硅层上，通过光刻和腐蚀的方法刻出所需长度的颈区，然后在该区域通过离子注入工艺掺入P型离子；

(5)在栅区淀积一层介质层，通过光刻和腐蚀的方法在介质层上刻出接触孔，再在接触孔内淀积一层金属层，通过光刻腐蚀刻出连线形貌。

3.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(1)中，在所述有源区生长栅氧化层时，采用干氧的方法生长，生长的栅氧化层为厚度的SiO₂层；在栅氧化层上生长多晶硅层之后，刻蚀出的栅长为8μm。

4.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(2)中，形成所述P体区时，采用离子注入的方法进行P型掺杂，掺杂的离子类型为B⁺离子，掺杂的浓度为6E13/cm²。

5.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(3)中，在形成所述NSD区域时，采用离子注入的方法进行N型掺杂，掺杂的离子类型为As⁺离子，掺杂的浓度为1E16/cm²。

6.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(4)中，在P体区中间形成所述的颈区时，首先在多晶硅层上覆盖光刻胶，进行光刻曝光后取出多晶硅层上的光刻胶，然后使用干法腐蚀的方法腐蚀掉被光刻胶覆盖区域的多晶硅，形成颈区，颈区长度为4μm；在所述颈区开口中采用离子注入的方法进行P型掺杂，掺杂的离子类型为B⁺离子，掺杂的浓度为1E13/cm²。

7.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：所述介质层采用的材料为SiO₂；所述金属层采用的材料为Al，金属层厚度为2μm。

8.根据权利要求2所述的抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：所述外延片采用的掺杂浓度为7Ω*cm、厚度为23μm，属于N型衬底、N型外延。

9.利用权利要求1-8任一所述方法制作的抗单粒子烧毁的VDMOS器件。