[发明专利]柔性基板剥离方法有效
申请号: | 201611151941.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106711175B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 王选芸 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 剥离 方法 | ||
1.一种柔性基板剥离方法,其特征在于,包括:对单晶硅片表面进行氧化,以获取第一氧化层;对所述单晶硅片进行第一次离子注入,以将离子注入所述单晶硅片中;利用所述第一氧化层,将注入所述离子的所述单晶硅片与玻璃基板进行低温键合,以获取键合片;对所述键合片进行退火处理,以使所述单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在所述玻璃基板表面;对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板,第二次离子注入为氢离子注入或氦离子注入;在所述原始基板形成有单晶硅层的一面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板;对所述柔性基板利用激光进行加温,使所述柔性基板与所述玻璃基板剥离开。
2.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板,具体包括:在所述单晶硅层表面沉积第二氧化层;对所述单晶硅层进行第二次离子注入,以获取原始基板。
3.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述预设厚度为500nm-2μm。
4.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述退火处理的退火温度为300℃-600℃。
5.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一氧化层为二氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一氧化层的厚度为100nm-300nm。
7.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一次离子注入的剂量范围为5×1016/cm2-5×1018/cm2。
8.根据权利要求2所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一次离子注入为氢离子注入或氦离子注入。
9.根据权利要求1-7任一所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,在所述原始基板形成有单晶硅层的一面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板,具体包括:在所述原始基板形成有单晶硅层的一面上涂布磷脂酰肌醇PI,以获取PI基板;在所述PI基板表面蒸镀有机发光二极管OLED,以获得所述柔性基板。
10.根据权利要求9所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述PI基板的厚度为1μm-10μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的