[发明专利]柔性基板剥离方法有效

专利信息
申请号: 201611151941.0 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106711175B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 王选芸 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 柔性 剥离 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性基板剥离方法,其特征在于,包括:对单晶硅片表面进行氧化,以获取第一氧化层;对所述单晶硅片进行第一次离子注入,以将离子注入所述单晶硅片中;利用所述第一氧化层,将注入所述离子的所述单晶硅片与玻璃基板进行低温键合,以获取键合片;对所述键合片进行退火处理,以使所述单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在所述玻璃基板表面;对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板,第二次离子注入为氢离子注入或氦离子注入;在所述原始基板形成有单晶硅层的一面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板;对所述柔性基板利用激光进行加温,使所述柔性基板与所述玻璃基板剥离开。

2.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板,具体包括:在所述单晶硅层表面沉积第二氧化层;对所述单晶硅层进行第二次离子注入,以获取原始基板。

3.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述预设厚度为500nm-2μm。

4.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述退火处理的退火温度为300℃-600℃。

5.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一氧化层为二氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一氧化层的厚度为100nm-300nm。

7.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一次离子注入的剂量范围为5×1016/cm2-5×1018/cm2

8.根据权利要求2所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述第一次离子注入为氢离子注入或氦离子注入。

9.根据权利要求1-7任一所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,在所述原始基板形成有单晶硅层的一面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板,具体包括:在所述原始基板形成有单晶硅层的一面上涂布磷脂酰肌醇PI,以获取PI基板;在所述PI基板表面蒸镀有机发光二极管OLED,以获得所述柔性基板。

10.根据权利要求9所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述PI基板的厚度为1μm-10μm。

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