[发明专利]一种波长选择开关

权利要求书

1.一种波长选择开关，其特征在于：其依序包括准直器阵列、双折射晶体、半波片、楔角棱镜、柱面望远镜、光栅、柱面镜、波长选择通道以及反射镜，所述准直器阵列包括输入光纤准直器和输出光纤准直器；

所述波长选择通道为KTN晶体阵列，所述KTN晶体阵列中的每个KTN晶体通道用于接收最初来自输入光纤准直器的不同波长的光束，不同波长的光束通过相应的KTN晶体通道后出射到反射镜，光束经反射镜反射回相应的KTN晶体通道并最终从相应的输出光纤准直器输出。

2.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述输入光纤准直器为1个，所述输出光纤准直器为N个，N为大于或等于2的整数。

3.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述输入光纤准直器和输出光纤准直器均为单光纤准直器。

4.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述双折射晶体为walk-off晶体。

5.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述反射镜为全反射镜。

6.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述KTN晶体阵列的每个KTN晶体的两侧制作有电极，通过对KTN晶体施加不同大小的电压从而改变通过相应的KTN晶体通道的光束传播方向。

7.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述KTN晶体阵列通过如下方式形成：在一片KTN晶体上相对的两侧间隔一定距离刻出多对间隙槽，所述多对间隙槽将该片KTN晶体分成多个KTN晶体，然后在每个KTN晶体的两侧制作电极，从而形成KTN晶体阵列。

8.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述KTN晶体阵列通过如下方式形成：将一片KTN晶体相对的两侧加工成连续的凸台状，该片KTN晶体沿着每级凸台划分为一个KTN晶体，然后在每个KTN晶体对应凸台状的两侧制作电极，从而形成KTN晶体阵列。

9.根据权利要求1所述的一种波长选择开关，其特征在于：所述KTN晶体阵列通过如下方式形成：首先在单个KTN晶体两侧制作电极，然后将多个制作好电极的单个KTN晶体拼接在一起，拼接方式为每个KTN晶体的电极端在同一侧，并且相邻的KTN晶体的电极端不在一条直线上，从而形成KTN晶体阵列。