[发明专利]一种薄膜热电模块有效
申请号: | 201611153842.6 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106784281B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 虞澜;宋世金;刘丹丹;谈文鹏;胡建力;刘安安 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 热电 模块 | ||
1.一种薄膜热电模块,其特征在于:包括N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)、隔离层(3),N型热电臂阵列(1)包括一个以上的N型半导体薄膜(11)和单晶衬底Ⅰ(12),N型半导体薄膜(11)倾斜生长在单晶衬底Ⅰ(12)上;P型热电臂阵列(2)包括一个以上的P型半导体薄膜(21)和单晶衬底Ⅱ(22),P型半导体薄膜(21)倾斜生长在单晶衬底Ⅱ(22)上;N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)由隔离层(3)隔开,并固定在一起,N型热电臂阵列(1)和P型热电臂阵列(2)均是生长有半导体薄膜的一面与隔离层(3)接触;N型半导体薄膜(11)与P型半导体薄膜(21)呈X形交叉分布,N型半导体薄膜(11)与P型半导体薄膜(21)的两端由电极(5)依次连接,形成两个独立的串联通路,电极(5)位于隔离层(3)的两侧;
N型热电臂阵列(1)上的N型半导体薄膜(11)和P型热电臂阵列(2)上的P型半导体薄膜(21)的数量相同,单个薄膜宽度、以及在单晶衬底上的相对位置相同;
N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)和隔离层(3)的相对位置由位于隔离层(3)侧面的通孔(4)插销固定。
2.根据权利要求1所述的薄膜热电模块,其特征在于:隔离层(3)包括腹板(31)、翼板(32),翼板(32)固定在腹板(31)的两边;腹板(31)、单晶衬底Ⅰ(12)、单晶衬底Ⅱ(22)的长度、宽度相同,翼板(32)高度等于腹板(31)、N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)的厚度之和。
3.根据权利要求2所述的薄膜热电模块,其特征在于:所述电极(5)嵌入并贯穿在隔离层(3)的腹板(31)上,电极(5)的厚度大于腹板(31)的厚度。
4.根据权利要求1所述的薄膜热电模块,其特征在于:所述N型半导体薄膜(11)和单晶衬底Ⅰ(12)长边的夹角与P型半导体薄膜(21)和单晶衬底Ⅱ(22)长边的夹角相同,标记为α,且α为10~60°。
5.根据权利要求1所述的薄膜热电模块,其特征在于:所述电极(5)为圆柱形,底面直径等于N型半导体薄膜(11)与P型半导体薄膜(21)中单个薄膜的宽度。
6.根据权利要求1所述的薄膜热电模块,其特征在于:所述电极(5)为金电极。
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