[发明专利]半导体装置结构

说明书

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及具有导电插塞(conductive plug)的半导体装置结构。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。集成电路材料和设计的技术进展产生了数个世代的集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进展增加了处理与制造集成电路的复杂性。

在集成电路的发展史中，功能密度(即每一晶片区内互连装置的数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。

然而，由于特征部件尺寸持续缩减，制造过程持续变得更加复杂。举例来说，所需光掩模的数目持续增加。因此，在越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置是一个挑战。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置结构，此半导体装置结构包含半导体基底，第一导电插塞和第二导电插塞在半导体基底上方且彼此相邻，以及第一导通孔结构和第二导通孔结构在半导体基底上方且彼此相邻，其中第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离，且第一导电插塞的第一高度大于第一导通孔结构的第二高度。

在一些其他实施例中，提供半导体装置结构，此半导体装置结构包含半导体基底，第一介电层在半导体基底上方，第二介电层在第一介电层上方，第一导电插塞和第二导电插塞彼此相邻，且穿透第一介电层和第二介电层，以及第一导通孔结构和第二导通孔结构在第二介电层中且不在第一介电层中，其中第一导通孔结构和第二导通孔结构彼此相邻，且第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离。

在另外一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成第一介电层于半导体基底上方，形成第二介电层于第一介电层上方，形成第一通孔和第二通孔穿透第二介电层，形成第一贯穿洞和第二贯穿洞穿透第一介电层和第二介电层，以及形成第一导通孔结构、第二导通孔结构、第一导电插塞和第二导电插塞分别于第一通孔、第二通孔、第一贯穿洞和第二贯穿洞中，其中第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本公开的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种特征部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种特征部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A-图1R显示依据一些实施例的形成半导体装置结构的过程的各个阶段的剖面示意图。

图1R-1显示依据一些实施例的半导体装置结构的另一剖面示意图。

图1R-2显示依据一些实施例的半导体装置结构的上视图。

图2显示依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

附图标记说明：

100、200 半导体装置结构

110 半导体基底

112 单元区

114 逻辑区

116a 第一掺杂区

116b 第二掺杂区

118、216、222a、291、311a、312a、313a、314a、315a、316a、317a、318a 顶表面

120 隔离结构

132 栅极介电层

134 栅极电极

134a 底表面

134b 侧壁

136 功函数金属层

138 间隔层

140、170、210、240、270、290、320、350、360 介电层

150、190、230、260 蚀刻停止层

160、462、464、466、468 导电接触结构

172、212、242、272 沟槽

180、220、310 导电材料层

182、222、252、282、331、332、333、334、335、336、337、338、372、374、416、418、422、424、426、428、430、442、444、446、448、450、472、474、476、478 导线

214、244、274、292、294、296、298 通孔