[发明专利]存储器单元及存储器阵列

说明书

本发明公开了一种存储器阵列包括复数个存储器单元，每一存储器单元包括第一选择晶体管、第一接续栅极晶体管、反熔丝晶体管、第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管。第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管会与第一接续栅极晶体管及第一选择晶体管以反熔丝晶体管为中心互相对成排列。透过两个接续栅极晶体管及两个选择晶体管所形成的对称路径，就能够减少存储器单元中晶体管的栅极宽度以及晶体管之间的隔离结构，进而减少存储器阵列所需的芯片面积。

技术领域

本发明是有关于一种存储器阵列，尤其是指一种小面积的一次性可编程存储器阵列。

背景技术

非挥发性存储器是一种能够在没有电源的情况下，保存所储存的信息的存储器。常见的非挥发性存储器包括磁带、光盘片、快闪存储器及其他以半导体制程实作的存储器。根据存储器所能够编程写入的次数不同，非挥发性存储器可区分为多次可编程(multi-time programmable，MTP)存储器及一次性可编程(one-time programmable，OTP)存储器。

图1为现有技术的一次性可编程存储器阵列10的示意图，存储器阵列10包括复数个存储器单元100。每一个存储器单元100包括选择晶体管110、接续栅极晶体管120及反熔丝晶体管130。选择晶体管110可用来选择进行编程写入的存储器单元。为了避免在写入存储器单元100的过程中，选择存储器110因接收到高压而崩溃，接续栅极晶体管120可设置在反熔丝晶体管130及选择晶体管110之间。当对存储器单元100进行写入时，反熔丝晶体管130将会被击穿而具有金氧半电容的功能，如此一来，内容为逻辑1的数据就会被写入一次性可编程存储器单元100中。

然而，在一次性可编程存储器单元100的布局中，两个存储器单元100是分别设置在相异的主动区中。同时，根据半导体制程布局的设计规定(design rule)，为了制程的稳定性，在两个主动区之间必须设置隔离结构，例如冗余多晶硅PO及扩散层边界多晶硅PODE。相似地，在存储器阵列10中，所有存储器单元100都会设置在各自独立的主动区中。因此存储器阵列的布局中到处都需设置冗余的隔离结构，而大大地增加存储器阵列10所需的芯片面积。

发明内容

为了能够减少存储器所需的芯片面积，本发明的一实施例提供一种存储器单元，存储器单元包括第一选择晶体管、第一接续栅极晶体管、反熔丝晶体管、第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管。

第一选择晶体管具有第一端、第二端及栅极端，第一选择晶体管的第一端耦接于位线，及第一选择晶体管的栅极端耦接于字符线。第一接续栅极晶体管具有第一端、第二端及栅极端，第一接续栅极晶体管的第一端耦接于所述第一选择晶体管的所述第二端，及第一接续栅极晶体管的栅极端耦接于接续控制线。反熔丝晶体管具有第一端、第二端及栅极端，反熔丝晶体管的第一端耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第二端，及反熔丝晶体管的栅极端耦接于反熔丝控制线。第二接续栅极晶体管具有第一端、第二端及栅极端，第二接续栅极晶体管的第一端耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端，及第二接续栅极晶体管的栅极端耦接于所述接续控制线。第二选择晶体管具有第一端、第二端及栅极端，第二选择晶体管的第一端耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第二端，第二选择晶体管的第二端耦接于所述位线，及第二选择晶体管的栅极端耦接于所述字符线。

本发明的另一实施例提供一种存储器阵列，存储器阵列包括复数个存储器单元，每一存储器单元包括第一选择晶体管、第一接续栅极晶体管、反熔丝晶体管、第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管。