[发明专利]一种半圆形同轴高功率脉冲形成线有效
申请号: | 201611154597.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106712744B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 李嵩;高景明;杨汉武;钱宝良;阚江南;田希文;晏龙波 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H03K3/53 | 分类号: | H03K3/53 |
代理公司: | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 赵洪 |
地址: | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街4*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半圆形 同轴 功率 脉冲 形成 | ||
1.一种半圆形同轴高功率脉冲形成线,其特征在于半圆形同轴高功率脉冲形成线由N段同轴脉冲形成线即第一同轴脉冲形成线,第二同轴脉冲形成线,……第i同轴脉冲形成线,……第N同轴脉冲形成线组成,每段同轴脉冲形成线轴向截面呈半圆形,相邻半圆形同轴脉冲形成线通过螺杆进行连接;同轴脉冲形成线的个数N为正整数,i=1,2,...,N;N段同轴脉冲形成线的弯曲半径分别为S1,S2,...,Sq,Sq+1,...,SN,q=1,2,...,N-1;
每段同轴脉冲形成线除了弯曲半径不同外,其它结构均相同;第i同轴脉冲形成线由高压导体(1)、接地导体(2)、储能介质(3)、介质输入口(6)、介质输出口(7)和支撑板(9)组成;
高压导体(1)的轴向截面呈半圆形,由弯曲成半圆形的圆柱导体制成,圆柱导体弯曲半径为Si;高压导体(1)横截面是圆形,横截面半径为R3;高压导体(1)两个端面的中心处焊接金属凸台(10);金属凸台(10)中心打有圆孔(11),用于相邻高压导体之间通过螺栓连接;
接地导体(2)的轴向截面呈半圆形,由弯曲成半圆形的圆筒导体制成,圆筒导体弯曲半径也为Si;接地导体(2)横截面是圆环;
在接地导体(2)两端面分别焊接有支撑板(9),两个支撑板(9)在圆周方向通过螺杆与接地导体(2)连接;介质输入口(6)为焊接在接地导体(2)下部直径为D3的不锈钢圆管,在接地导体(2)对应介质输入口(6)的空心部分钻直径为D3的通孔;介质输出口(7)是为焊接在接地导体(2)上部直径为D3的不锈钢圆管,在接地导体(2)对应介质输出口(7)的空心部分钻直径为D3的通孔;高压导体(1)同轴嵌套在接地导体(2)内;
储能介质(3)为具有可流动性的绝缘液体,通过介质输入口(6)灌注到接地导体(2)内,分布于高压导体(1)与接地导体(2)之间的空间;更换储能介质时储能介质通过介质输出口(7)流出;
支撑板(9)为绝缘材料制成的圆柱体薄板,支撑板(9)在圆周方向通过螺杆与接地导体(2)的两端连接,其几何中心钻有通孔,支撑板(9)中心的通孔中插有高压导体(1)端面的金属凸台(10),实现对高压导体(1)的支撑。
2.如权利要求1所述的一种半圆形同轴高功率脉冲形成线,其特征在于所述同轴脉冲形成线的个数N由实际使用环境需要的脉冲形成线电长度τ和脉冲形成线储能介质的介电常数εr决定,要求:
其中,c为光在真空中的传播速度,τ为实际应用环境所需电长度,Sq为第q同轴脉冲形成线的弯曲半径。
3.如权利要求1所述的一种半圆形同轴高功率脉冲形成线,其特征在于第q同轴脉冲形成线的弯曲半径Sq和第q+1同轴脉冲形成线的弯曲半径Sq+1满足Sq+1>Sq+D2,要求Sq大于10mm;D2为每段同轴脉冲形成线的横截面直径,要求D2大于24mm。
4.如权利要求1所述的一种半圆形同轴高功率脉冲形成线,其特征在于所述接地导体(2)横截面内半径为R4,R4>R3,壁厚为d,满足0.5D2=R4+d,D2为每段同轴脉冲形成线的横截面直径,要求D2大于24mm,d>2mm,R3>10mm。
5.如权利要求1所述的一种半圆形同轴高功率脉冲形成线,其特征在于所述支撑板(9)与接地导体(2)连接采用的螺杆数X>3。
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