[发明专利]用于借助于干相沉积来产生X射线检测器的钙钛矿颗粒有效
申请号: | 201611154766.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN107039590B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | A·卡尼茨;O·施密特;S·F·特德 | 申请(专利权)人: | 西门子医疗有限公司 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 借助于 沉积 产生 射线 检测器 钙钛矿 颗粒 | ||
1.一种包括至少两种粉末的组合物,其中所述粉末从由包括p掺杂钙钛矿的粉末、包括n掺杂钙钛矿的粉末、以及包括非掺杂钙钛矿的粉末组成的组中选取,其中所述至少两种粉末被混合,或者作为分立的相而存在,以及其中所述p掺杂钙钛矿和所述n掺杂钙钛矿是从ABX3和AB2X4的组中选取的材料,其中A是来自周期表的第四周期或更高周期的带正电元素和/或来自所述带正电元素的混合物,B是一价阳离子,所述一价阳离子的针对相应元素A的体积参数足够用于钙钛矿晶格形成,并且X是氯化物阴离子、溴化物阴离子或者碘化物阴离子。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述至少两种粉末被均匀地混合。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中所述粉末具有颗粒,所述颗粒具有0.5μm至200μm的平均颗粒尺寸。
4.根据权利要求3所述的组合物,其中所述粉末具有颗粒,所述颗粒具有0.8μm至100μm的平均颗粒尺寸。
5.根据权利要求4所述的组合物,其中所述粉末具有颗粒,所述颗粒具有1μm至10μm的平均颗粒尺寸。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的组合物,其中所述组合物至少包括充分互相混合的包括p掺杂钙钛矿的粉末和包括n掺杂钙钛矿粉末。
7.一种用于产生包括至少两种粉末的组合物的方法,其中所述粉末选自包括以下项的组:包括p掺杂钙钛矿的粉末、以及包括n掺杂钙钛矿的粉末、包括p掺杂钙钛矿的粉末、以及包括非掺杂钙钛矿的粉末,其中所述p掺杂钙钛矿和所述n掺杂钙钛矿是从ABX3和AB2X4的组中选取的材料,其中A是来自周期表的第四周期或更高周期的带正电元素和/或来自所述带正电元素的混合物,B是一价阳离子,所述一价阳离子的针对相应元素A的体积参数足够用于钙钛矿晶格形成,并且X是氯化物阴离子、溴化物阴离子或者碘化物阴离子,所述方法包括:
提供所述至少两种粉末,
将所述至少两种粉末添加到彼此中。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
将所述至少两种粉末混合在一起。
9.根据权利要求7所述的方法,其中在所述混合之前,所述包括p掺杂钙钛矿的粉末和/或所述包括n掺杂钙钛矿的粉末和/或所述包括非掺杂钙钛矿的粉末在惰性气体中被冷却到10℃或者更低的温度。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的方法,其中所述粉末被混合,并且所述混合被执行一个时间段,该时间段小于600s。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述混合被执行一个时间段,该时间段小于300s。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述混合被执行一个时间段,该时间段小于180s。
13.一种用于产生检测器的方法,包括:
提供包括第一电极(33、43、52、62)的基板(32、42、51、61);
沉积根据权利要求1至6中的任一项所述的组合物;以及
沉积第二电极(34、44、53、63);
其中根据权利要求1至6中的任一项所述的组合物被压缩,
或者所述方法包括:
压缩根据权利要求1至6中的任一项所述的组合物,以便形成压缩层;
在所述压缩层的第一侧面上,沉积第一电极(33、43、52、62)并且在适当的位置沉积基板(32、42、51、61);以及
在所述压缩层的与所述第一侧面相反的侧面上,沉积第二电极(34、44、53、63)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子医疗有限公司,未经西门子医疗有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611154766.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种机房网络自动切换的方法
- 下一篇:自适应通信接收上位机和下位机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择