[发明专利]一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法在审
| 申请号： | 201611157712.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106783573A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 任通;郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3105;H01L29/423;H01L29/51;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 vdmos 器件 辐照 能力 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，其特征在于：该方法是将VDMOS器件中的栅氧化层替换为三层结构栅，从而提高VDMOS器件的抗辐照能力；所述三层结构栅是由依次叠加复合的氮氧化物层、氢氧合成氧化层和氮氧化物层组成。
2.根据权利要求1所述的提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，其特征在于：所述氮氧化物层是采用N2O氮化氧化工艺制备的氮氧化物层，所述氢氧合成氧化层是采用低温氢氧合成氧化法制成的SiO2层。
3.根据权利要求1所述的提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，其特征在于：所述氮氧化物层的厚度为3-5nm，所述氢氧合成氧化层的厚度为6-10nm。
4.根据权利要求1-3任一所述的提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，其特征在于：所述三层结构栅的制备过程具体包括如下步骤：
(1)采用HF溶液清洗硅片表面，去除硅片表面的氧化层；
(2)硅片清洗后，用氮化栅氧化层工艺在800℃条件下制备N2O氮化栅氧化层；
(3)用氢氧合成氧化法在800℃条件下在步骤(2)制备的N2O氮化栅氧化层上制氢氧合成栅氧化层；
(4)用氮化栅氧化层工艺在800℃条件下在步骤(3)制备的氢氧合成栅氧化层上制备N2O氮化栅氧化层；
(5)三层结构栅备完成后，在800℃和N2气氛下退火30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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