[发明专利]用于处理硅晶圆的方法

说明书

本发明涉及用于处理硅晶圆的方法。公开了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：在半导体晶圆中形成含氧区，其中形成含氧区包括经由第一表面将氧引入到半导体晶圆中；至少在含氧区中创建空位；以及在退火过程中至少使含氧区退火以便形成氧沉淀物。

技术领域

本公开大体涉及处理硅晶圆，特别是形成针对硅晶圆中的杂质的吸杂中心。

背景技术

基于硅半导体晶圆生产半导体器件可包括多个过程序列，在该过程序列中例如掺杂区在晶圆中形成，以及金属化层在晶圆上形成。在这样的处理期间，不希望有的杂质（诸如金属原子）可能最终在晶圆中。因此，这些杂质可过度地影响成品的半导体器件的操作。例如，在功率半导体器件中，如果杂质最终在器件的下述区中则杂质可降低电压阻断能力：在该区中，高电场强度在器件的操作中可出现。

在晶圆的表面上形成的多晶硅层可以吸收那些杂质，并可在杂质引入处理之后被去除，以便去除杂质。然而，对于一些晶圆类型，用于在晶圆表面上形成多晶硅层的过程不是可用的。因此，存在对可替换的杂质吸杂的需要。

发明内容

一个实施方式涉及一种方法。该方法包括：在半导体晶圆中形成含氧区；至少在含氧区中创建空位；以及在第一退火过程中使至少含氧区退火以便形成氧沉淀物。形成含氧区包括经由第一表面将氧引入到半导体晶圆中。

附图说明

下面参考附图解释示例。附图用于图示某些原理，使得只有对于理解这些原理所必要的方面被图示。附图并不按比例。在附图中，相同的参考符号表示相似的特征。

图1A-1E图示用于在半导体晶圆中形成吸杂中心的根据一个示例的方法；

图2图示在图1A-1E中示出的方法中的可选的另一过程步骤；

图3图示在通过两种不同的方法获得的半导体晶圆中的氧浓度；

图4图示在图1A-1E中示出的方法中的可选的另一过程步骤；

图5图示在图1A-1E中示出的方法中的可选的另一过程步骤；

图6示出在形成晶体管单元之后在图1E中示出的半导体晶圆；

图7示出在去除包含氧沉淀物的区之后在图6中示出的半导体晶圆；

图8示出在形成外延层和形成晶体管单元之后在图1E中示出的半导体晶圆；以及

图9示出在去除包含氧沉淀物的区之后在图8中示出的半导体晶圆。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图。附图形成描述的一部分并通过图示的方式示出其中本发明可被实践的特定实施例。应理解，本文中描述的各种实施例的特征可彼此组合，除非另外特别指明。

图1A-1E图示用于在半导体晶圆100中形成吸杂中心的根据一个示例的方法。图1A-1D示出在不同过程步骤期间的半导体晶圆100的区段的水平横截面视图，以及图1E示出在图1D中示出的晶圆100的一个区段的放大视图。晶圆100包括第一表面101和与第一表面相对的第二表面102。图1A-1D在垂直截面平面中示出晶圆100，该垂直截面平面是分别垂直于第一表面101和第二表面102的截面平面。