[发明专利]一种用于加工硅环的装置及加工方法在审
| 申请号： | 201611159536.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231568A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;白鸽玲;白杜娟;朱秦发;夏青;闫志瑞;李磊 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒角 硅环 内圆 加工 驱动装置 研磨 内圆边缘 转动装置 装置加工 盘安装 砂浆 自转 清洗 驱动 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于加工硅环的装置，该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。
2.一种采用权利要求1所述的装置加工硅环的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将倒角盘安装在转动装置上，在倒角盘上涂上研磨砂浆；
(2)对硅环内圆进行倒角，通过调整倒角盘的自转速度和研磨时间，来调整内圆边缘形状；
(3)对硅环进行清洗。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，倒角盘使用硬质材料制作而成。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，倒角盘斜面的角度为45°。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，研磨砂的目数为100#～5000#。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，倒角盘的自转速度为1～2000转/分。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，清洗方法使用水或清洗液对硅环进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
