[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底包含第一半导体层、绝缘层以及第二半导体层；

形成一主动元件于该基底上；

形成一层间介电层于该基底及该主动元件上；

形成一掩模层于该层间介电层上；

在去除部分该掩模层、部分该层间介电层以及部分该绝缘层以形成一第一接触洞之后去除该掩模层的一侧壁部分；

形成一图案化掩模于该掩模层上并填入该第一接触洞；以及

去除部分该掩模层及部分该层间介电层以形成一第二接触洞暴露部分该主动元件。

2.如权利要求1所述的方法，其中该主动元件包含：

栅极结构设于该第二半导体层上；以及

源极/漏极区域设于该栅极结构两侧以及该第二半导体层内。

3.如权利要求2所述的方法，另包含形成一浅沟隔离环绕该源极/漏极区域。

4.如权利要求3所述的方法，另包含去除部分该掩模层、部分该层间介电层、部分该浅沟隔离以及部分该绝缘层以形成该第一接触洞。

5.如权利要求3所述的方法，另包含：

形成一接触洞刻蚀停止层于该第二半导体层及该栅极结构上；

形成该层间介电层于该接触洞刻蚀停止层上；

形成该掩模层于该层间介电层上；以及

去除部分该掩模层、部分该层间介电层、部分该接触洞刻蚀停止层、部分该浅沟隔离以及部分该绝缘层以形成该第一接触洞。

6.如权利要求3所述的方法，另包含：

形成一接触洞刻蚀停止层于该第二半导体层及该栅极结构上；

去除部分该接触洞刻蚀停止层；

形成该层间介电层于该接触洞刻蚀停止层上并接触该接触洞刻蚀停止层及该浅沟隔离；

形成该掩模层于该层间介电层上；以及

去除部分该掩模层、部分该层间介电层、部分该浅沟隔离以及部分该绝缘层以形成该第一接触洞。

7.如权利要求1所述的方法，另包含：

进行一第一刻蚀制作工艺并利用该图案化掩模为掩模同时去除部分该掩模层及去除该图案化掩模；以及

进行一第二刻蚀制作工艺去除部分该层间介电层以形成该第二接触洞并同时扩大该层间介电层中的该第一接触洞。

8.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一导电层于该第一接触洞及该第二接触洞内；以及

去除部分该导电层以于该层间介电层及该基底中形成一第一接触插塞以及于该层间介电层中形成一第二接触插塞，其中该第一接触插塞具有一第一部分设于该绝缘层及该第二半导体层内以及一第二部分设于该层间介电层内。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第二部分的宽度大于该第一部分的宽度。

10.如权利要求8所述的方法，其中该第一部分的宽度大于该第二接触插塞的宽度。

11.如权利要求1所述的方法，其中该掩模层包含：

非晶碳膜；以及

介电抗反射层设于该非晶碳膜上。

12.一种半导体元件，包含：

基底，该基底包含第一半导体层、绝缘层以及第二半导体层；

主动元件，设于该基底上；

浅沟隔离，环绕该主动元件；

层间介电层，设于该主动元件上；

第一接触插塞，设于该主动元件旁，该第一接触插塞包含：

第一部分，设于该绝缘层及该第二半导体层内并直接接触该浅沟隔离；以及

第二部分，设于该层间介电层内，该第二部分的宽度大于该第一部分的宽度；

第二接触插塞，设于该层间介电层内并电连接该主动元件；以及

接触洞刻蚀停止层，设于该主动元件及该基底上，其中该接触洞刻蚀停止层直接接触该第一接触插塞的该第一部分及该第二部分。