[发明专利]一种快速恢复二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种快速恢复二极管，其特征在于，包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N-型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层，所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层。

2.如权利要去1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述N+型氮化镓外延层的厚度为10～14nm，掺杂浓度为4×10¹⁸～6×10¹⁸cm^-3。

3.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述N型氮化镓外延层厚度为80～120nm，掺杂浓度约为0.5×10¹⁸～1.5×10¹⁸cm^-3。

4.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述N-型氮化镓基片层厚度为2～3um，本征载流子的浓度为4×10¹⁶～6×10¹⁶cm^-3。

5.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述P型氮化镓外延层厚度为80～120nm，掺杂浓度为0.8×10¹⁸～1.2×10¹⁸cm^-3。

6.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述P+型氮化镓外延层厚度为10～14nm，掺杂浓度为0.8×10¹⁸～1.2×10¹⁸cm^-3。

7.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述阳极层为金属Ti/Au，Ti/Au沉积厚度为

8.如权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述阴极层为金属Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Ni/Au沉积厚度为

9.权利要求1-8任一项所述快速恢复二极管的制备方法，包括：

S101.提供衬底；

S102.在衬底上生长N+型氮化镓外延层；

S103.在N+型氮化镓外延层上生长N型氮化镓外延层；

S104.在N型氮化镓外延层上生长N-型氮化镓基片层；

S105.在N-型氮化镓基片层上生长P型氮化镓外延层；

S106.在P型氮化镓外延层上生长P+型氮化镓外延层；

S107.在P+型氮化镓外延层上沉积阳极层；

S108.剥离衬底，在靠近衬底层一侧的N+型氮化镓外延层上沉积阴极层；900～1000℃下快速退火1min，即得所述快速恢复二极管。

10.如权利要求10所述的快速恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S102～S106中，均采用金属有机物化学气相沉积法进行，所述步骤S102～S103中，反应室内通入有SiH₄气源；所述步骤S105～S106中，反应室内通入有Cp₂Mg气源。