[发明专利]OLED显示面板以及OLED显示装置有效
申请号: | 201611159955.7 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106653810B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 梁博;李骏;王威 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09G3/3208 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED显示面板以及OLED显示装置。该OLED显示面板包括显示区域和GOA区域,GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管,显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管,第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。本发明的GOA区域采用无机薄膜晶体管,能够提高电子迁移率,保证足够的栅极驱动电流,显示区域采用有机薄膜晶体管,保证OLED显示面板具有良好的弯折性,并且降低成本。
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域,特别是涉及一种OLED显示面板以及OLED显示装置。
背景技术
目前,显示装置所采用的薄膜晶体管的背板需要考虑显示装置的电性均一性,漏电流,有效驱动长度,面积效率,迟滞作用等多方面的因素。针对不同显示技术的显示装置,需要采用不同的薄膜晶体管结构,以达到期望的目的。
现有技术的柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置需要具备良好的弯折稳定性,采用OTFT(有机薄膜晶体管),由于OTFT相对于无机薄膜晶体管的电子迁移率低,导致无法提供足够的栅极驱动电流。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板以及OLED显示装置,能够提高电子迁移率,保证足够的栅极驱动电流。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种OLED显示面板,其包括显示区域和GOA区域,GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管,显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管,第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。
其中,第一薄膜晶体管包括:
柔性基板;
阻挡层,设置在柔性基板上;
第一多晶硅层,设置在阻挡层上;
第一源漏极层,设置在阻挡层上,第一源漏极位于第一多晶硅层的两侧;
第一绝缘层,设置在第一多晶硅层和第一源漏极层上;
第一栅极层,设置在第一绝缘层上,并且设置在第一多晶硅层的上方。
其中,第二薄膜晶体管包括:
柔性基板和阻挡层;
第二多晶硅层,设置在阻挡层上;
第一绝缘层设置在第二多晶硅层上;
第二栅极层,设置在第一绝缘层上,并且设置在第二多晶硅层的上方;
ILD层,设置在第二栅极层和第一绝缘层上;
IOBP层,设置在ILD层上;
第二源漏极层,设置在IOBP层上。
其中,第一栅极层和第二栅极层为同一层设置。
其中,第一绝缘层为栅极绝缘层。
其中,第一薄膜晶体管包括:
柔性基板;
阻挡层,设置在柔性基板上;
IGZO层,设置在阻挡层上;
第一绝缘层,设置在IGZO层上;
第一栅极层,设置在第一绝缘层上,并且设置在IGZO层的上方;
ILD层,设置在第一栅极层和第一绝缘层上;
IOBP层,设置在ILD层上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的