[发明专利]一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统

说明书

本发明公开了一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统，将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定它们的的空间相对位置；将被测电子器件和像素芯片置于束流中，辐射粒子从像素芯片的一侧沿直线穿过，射入被测电子器件，像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；监测被测电子器件的工作状态，若被测电子器件出现单粒子效应，记录与单粒子效应发生时间对应的辐射粒子射入像素芯片的时间为特征时间，特征时间对应的辐射粒子射入像素芯片的位置为特征位置；被测电子器件上与像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。本发明操作简单、实用性强，可以为被测电子器件抗辐射性能的研究提供参考信息。

技术领域

本发明涉及分析电子器件的抗辐射性能，具体地指一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统。

背景技术

在一些特殊的有辐射的场合，能够使用的芯片需要满足一定的抗辐射性能的要求。普通的芯片在辐射的环境下会产生一些由辐射导致的效应，包括总剂量效应和单粒子效应。随着集成电路尺寸的减小和氧化层厚度的减薄，单粒子现象越来越受到研究人员的重视。这些单粒子效应包括单粒子翻转，单粒子瞬态，单粒子锁定，单粒子烧毁，单粒子栅穿和单粒子功能中断等。研究这些单粒子效应的机理对于抗辐射器件的设计具有重要意义。

目前对于单粒子效应的研究方法，主要集中于采用束流测试方法：将工作中的被测电子器件放在束流上，看被测电子器件各种单粒子效应发生的几率，如果发生的几率小于一定的数值，则认为被测电子器件具有抗辐射能力。这是目前切实可行并且有效的方法，但是这种方法收集到的关于单粒子效应产生机理的信息不够充分，无法知道具体打到被测电子器件哪个位置的辐射粒子产生了单粒子效应，这就很难对被测电子器件的加固设计提供准确的优化方向。

发明内容

本发明的目的是为了要解决上述背景技术的不足，提供一种能测量引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置的电子器件抗辐射性能测试方法和系统。

实现本发明目的采用的技术方案之一：方案一是一种电子器件抗辐射性能测试方法，包括如下步骤：

1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；

2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将像素芯片面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述像素芯片的一侧沿直线穿过，射入所述被测电子器件，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；

3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；

4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。

优选的，所述像素芯片厚度可小于200微米。

优选的，所述被测电子器件和像素芯片可通过固定装置平行放置，所述固定装置可包括像素芯片绑定板1.2、被测器件读出板1.4、摄像头1.8和定位柱1.6，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板可通过定位柱平行固定；所述像素芯片绑定板上可设有一个窗口，所述像素芯片1.1可固定于像素芯片绑定板的窗口上，所述被测电子器件可固定于被测器件读出板上与像素芯片相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。

实现本发明目的采用的技术方案之二：方案二是另一种电子器件抗辐射性能测试方法，包括如下步骤：

1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；