[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201611160431.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106992122B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 中田和成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
准备半导体晶片的工序，该半导体晶片具有第1晶片面、晶片外周端以及与所述第1晶片面相反的第2晶片面；
在所述半导体晶片的所述第1晶片面之上形成凹凸形状的工序；
在形成所述凹凸形状的工序之后使用涂覆法在所述半导体晶片的所述第1晶片面之上形成树脂部件的工序，该树脂部件具有与所述晶片外周端分离的树脂外周端，该树脂部件将所述晶片外周端露出；
通过将所述半导体晶片部分地去除而在所述半导体晶片的所述第2晶片面形成凹部形状的工序，该凹部形状具有位于所述树脂外周端的内侧且与所述树脂外周端相距大于或等于0.5mm的凹部外周端；
在形成所述凹部形状的工序之后，进行所述半导体晶片的所述第2晶片面之上的处理的工序；以及
在进行所述处理的工序之后，将所述树脂部件去除的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
形成所述树脂部件的工序包含下述工序：
在所述第1晶片面之上堆积所述树脂部件的工序；以及
在堆积所述树脂部件的工序之后，将所述树脂部件平坦化的工序。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其中，
进行所述处理的工序包含在所述第2晶片面之上形成扩散层的工序。
4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其中，
进行所述处理的工序包含在所述第2晶片面之上形成电极层的工序。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其中，
还具有在将所述树脂部件去除的工序之前对所述半导体晶片进行切割的工序。
6.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成树脂部件的工序中，所述树脂外周端配置于所述晶片外周端的内侧且与所述晶片外周端相距大于或等于0.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611160431.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子体蚀刻方法
- 下一篇：横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
