[发明专利]一种低气孔镁铬砖及其制备方法在审
申请号: | 201611160538.4 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106588051A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 任向阳;刘锡俊;王杰曾;徐琳琳;翟鹏涛;刘晓磊;刘昭;周珍妮 | 申请(专利权)人: | 河南瑞泰耐火材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/047;C04B41/85 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司41111 | 代理人: | 李秋红 |
地址: | 451100 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气孔 镁铬砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种低气孔镁铬砖,其特征在于:以质量百分含量表示,所述低气孔镁铬砖主要由原料粒度0~5mm的电熔镁铬砂50~70%、粒度0~1mm的铬精矿10~25%,镁砂10~25%和添加剂1~5%组成;另外,加入占上述所有原料总质量3~5%的结合剂。
2.根据权利要求1所述的低气孔镁铬砖,其特征在于:所述电熔镁铬砂50~70%是由粒度0~2mm的电熔镁铬砂20~30%和2~5mm的电熔镁铬砂30~40%组成。
3.根据权利要求1所述的低气孔镁铬砖,其特征在于:所述镁砂10~25%是由粒度2~5mm的镁砂0~10%和粒度<0.088mm的镁砂5~25%组成。
4.根据权利要求1所述的低气孔镁铬砖,其特征在于:所述电熔镁铬砂中Cr2O3的质量百分含量为20~30%;所述铬精矿中Cr2O3的质量百分含量≥52%,SiO2含量≤0.8%;所述镁砂为MgO质量百分含量>97%的烧结镁砂和/或电熔镁砂。
5.根据权利要求1所述的低气孔镁铬砖,其特征在于:所述添加剂为氧化锆和氧化铬中的任一种或两种;所述氧化锆和氧化铬的粒度均<20µm。
6.根据权利要求1所述的低气孔镁铬砖,其特征在于:所述结合剂为亚硫酸纸浆废液、氯化镁溶液和糊精溶液中的任一种或任两种;所述结合剂的比重为1.20~1.25。
7.一种权利要求1所述低气孔镁铬砖的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
a、混料:首先按照权利要求1所述低气孔镁铬砖的配比比例称取各种原料,将称取的电熔镁铬砂、铬精矿、镁砂和添加剂加入混练机中混合2~3分钟,接着加入结合剂再继续混炼10~20分钟,得到混合物料;
b、成型:将所得混合物料采用压力机压制成型为砖坯,压力机的压力为
1000~1600吨,所得砖坯的体积密度为3.30~3.40g/cm3;
c、烧成:将所得砖坯置于干燥器中,干燥至残余水分<0.5%;然后将干燥后的砖坯置于高温隧道窑中进行烧成,烧成温度为1700~1850℃,在烧成温度条件下保温时间为8~12小时;
d、浸渍:将烧成后得到的镁铬砖置于压力容器中,进行抽真空至真空度为1000~1500Pa,然后加入预先制备的纳米氧化物悬浮液至完全淹没镁铬砖,接着进行加压至0.4~0.5 MPa,浸渍处理20~60分钟;
e、微波干燥:将浸渍后的镁铬砖置于微波干燥窑中进行干燥处理,干燥温度为50~150℃,干燥时间为0.5~4h,干燥后得到产品低气孔镁铬砖。
8.根据权利要求7所述的低气孔镁铬砖的制备方法,其特征在于,步骤d中所述纳米氧化物悬浮液是通过以下方法制备而成:
首先将纳米氧化物加入饮用水中,然后加入分散剂;所述纳米氧化物与饮用水之间加入的质量比为1:1~5,所述分散剂的加入量占纳米氧化物质量的0.2~0.8%;然后采用氨水调节所得悬浮液的pH值为8~11,接着机械搅拌10~30min;搅拌后采用超声波继续分散40~60min,分散均匀后制成纳米氧化物悬浮液。
9.根据权利要求8所述的低气孔镁铬砖的制备方法,其特征在于:所述纳米氧化物为纳米氧化铬、纳米氧化锆或纳米氧化铬和纳米氧化锆二者的混合物;所述纳米氧化物的粒径为20~50nm,所述纳米氧化物的纯度≥99.8%。
10.根据权利要求8所述的低气孔镁铬砖的制备方法,其特征在于:所述分散剂为聚甲基丙烯酸铵、聚丙烯酸铵、聚甲基丙烯酸钠、聚丙烯酸钠或六偏磷酸钠。
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