[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201611161065.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106848020B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，所述高温AlGaN层和所述低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述低温GaN层的生长温度。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述N型GaN层的生长温度，所述低温GaN层的生长温度低于所述N型GaN层的生长温度。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度高10～100℃。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度低10～100℃。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层的厚度为所述高温AlGaN层的厚度的4～12倍。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的厚度为2～15nm。
7.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度高于所述低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1019～1020cm-3。
9.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层为N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂的GaN层和所述没有掺杂的GaN层的层数相同，所述没有掺杂的GaN层的层数为2～20层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611161065.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型弯管结构
- 下一篇：快换膨胀管道连接结构
