[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的调整方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。

技术领域

本发明涉及具有将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件的基板处理装置和基板处理装置的调整方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，在半导体晶片等的基板(以下称为“晶片”)形成涂敷膜后，将基板载置在设置有加热器的载置台来进行加热处理。作为加热处理，能够举例对形成在基板的抗蚀剂膜在曝光前后在例如100℃左右的温度下进行的处理。抗蚀剂图案的线宽被各种因素左右，但是，作为其因素之一能够列举加热处理时的加热温度。

而且，存在药液的热处理温度依赖性变高的倾向，所以，加热处理时的晶片的加热过程(历史记录)中的晶片的面内间的差异和晶片间(面间)的差异对抗蚀剂图案的线宽中的晶片的面内均匀性和晶片间均匀性产生的影响变大。

进行加热处理的加热组件，将晶片的被加热区域分割为多个，按各分割区域设置加热器，对各加热器独立地进行发热控制。作为加热器的控制系统的参数的调整方法，已知如专利文献1所记载的那样，以在多个测量点测量载置台(热板)的温度时的各测量温度与各目标温度一致的方式进行控制的方法。但是，对于图案的线宽的均匀性要求更严格的标准的工艺中，今后需要改善调整方法。

另外，形成抗蚀剂图案的装置，对多个晶片并行地进行处理，所以具备多个加热组件。因此，在各加热组件中，不仅要使晶片的面内的加热过程一致，而且，在加热组件之间，要求以高精度使晶片的加热过程一致。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4391518号

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种无论在基板的面内还是在基板间都能够进行均匀性良好的加热处理的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基板处理装置，其包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，上述基板处理装置的特征在于，包括：

设置在上述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和

控制部，其输出控制信号，使得对于与上述多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致，

上述第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，上述第2时刻为在上述温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。

本发明的基板处理装置的调整方法，其对基板处理装置中的加热器的发热量进行调整，上述基板处理装置的调整方法的特征在于：

上述基板处理装置包括：

分别将基板载置在载置台来对上述基板进行加热的多个加热组件；

设置在上述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；