[发明专利]磁记录介质及磁记录再生装置有效
申请号: | 201611161241.X | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107068168B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 井上健;长谷川浩太 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/851 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性层 垂直磁性层 磁记录介质 控制层 磁各向异性常数 磁记录再生装置 非磁性基板 软磁性底层 饱和磁化 磁性颗粒 粒状结构 保护层 连续柱 基板 膜厚 配向 强磁 交换 | ||
一种磁记录介质,其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层,垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层,第1至第4磁性层为粒状结构磁性层,构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶,第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层,第3磁性层与第4磁性层接触,第1至第4磁性层为强磁结合,在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时,满足Kui>Kui+1(i=1,2)、Msi·ti>Msi+1·ti+1(i=1,2)、Kui<Kui+1(i=3)及Msi·ti<Msi+1·ti+1(i=3)的关系。
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质及磁记录再生装置。
背景技术
就作为磁记录再生装置的一种的硬盘装置(HDD:hard disk drive)而言,目前其记录密度正在飞速增长,并且这种增长趋势今后也将继续持续。为此正在进行一种适于高记录密度的磁记录介质和磁记录用磁头的开发。
目前市场上贩卖的磁记录再生装置中所安装的磁记录介质是一种磁性膜内的易磁化轴主要进行了垂直配向(orientation)的所谓的垂直磁记录介质。由于垂直磁记录介质在进行高记录密度化时,其记录比特(bit)间的边界区域的反磁场(反磁性)的影响也较小,可形成鲜明的比特边界,所以可抑制噪音的增加。而且由于在进行高记录密度化时,其记录比特体积的减少较少,所以还可抵抗热波动效果。因此,这种垂直磁记录介质近年来吸引了广泛的注目,并且也已经提出了一些适于进行垂直磁记录的介质结构。
为了进行磁记录介质的高记录密度化,需要促进构成磁记录层的结晶颗粒的磁性分离,并减小磁化反转的单位,但这也会降低磁记录介质的热稳定性。因此,为了维持磁记录介质的热稳定性,需要增大构成磁性颗粒的磁性体的Ku(磁各向异性常数)。
为了构成这样的磁记录介质,采用在磁记录层中使用了高Ku的磁性体的粒状结构(granular structure)较为有利,但是,就使用了高Ku的磁性体的磁记录介质而言,其存在记录时所需的磁场强度会增加及磁记录介质的易记录性会降低的问题。
为了解决上述问题,进行了一种通过使多个(plural)磁记录层经由交换结合控制层进行层叠,以使构成各层的磁性颗粒进行强磁结合,并且通过使多个磁记录层内的Ku较低的磁性颗粒先进行磁化反转,以使Ku较高的磁性颗粒进行磁化反转的处理。即,在不经由交换结合控制层使多个磁记录层进行层叠的情况下,这些磁记录层同时进行磁化反转,会导致降低磁记录层的易记录性。而从另一面来说,通过使用上述结构,可提高磁记录介质的易记录性(例如,参照专利文献1~3)。
另外,非专利文献1中还公开了CoCrPt系磁性材料的饱和磁化强度(saturationmagnetization)Ms和各向异性磁场Hk。[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1](日本)特开2008-243316号公报
[专利文献2](日本)特开2008-287853号公报
[专利文献3](日本)特开2009-87500号公报
[非专利文献]
[非专利文献1]J.Magn.Soc.Jpn.,34 214-219(2010)
发明内容
[发明要解决的课题]
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