[发明专利]一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法

权利要求书

1.一种气体流量控制装置，其特征在于，该气体流量控制装置设置在半导体刻蚀设备上，所述的气体流量控制装置包含：

气体喷淋头(3)，其设置在半导体刻蚀设备的反应腔(1)内部，位于晶片(2)上方，该气体喷淋头(3)包含圆形进气区域和至少一个同心设置的环形进气区域，所述圆形进气区域和环形进气区域互相隔离，且圆形进气区域和环形进气区域的下表面包含多个气体通孔(4)用于通入反应气体，每一个环形进气区域又包含多个扇形区域，不同的扇形区域之间互相隔离，每一个扇形区域都具有一个供气通道；

多个气体管路(5)，其分别连接气体喷淋头(3)上的多个扇形区域对应的多个供气通道；

多个电子开关阀门(6)，其分别设置在每一个气体管路(5)上，每一个电子开关阀门(6)都连接控制器，用于控制气体管路(5)的通断；

一个流量控制器(7)，其包含一个输出端联通到环形进气区域上的所有气体管路(5)，用于控制提供给环形进气区域的总气量；

气源(8)，其管路连接所述流量控制器(7)，用于提供反应气体；

所述控制器控制所述每一个电子开关阀门(6)交替通断，使得反应气体流入不同扇形区域的流量比例与各个扇形区域对应的电子开关阀门(6)的开通时间成正比。

2.如权利要求1所述的气体流量控制装置，其特征在于，所述的气体喷淋头(3)上的环形进气区域的数量大于等于2个，每一个环形进气区域上的扇形区域的数量大于等于2个，圆形进气区域和每一个扇形区域上的气体通孔(4)的数量大于等于2个，且气体通孔(4)的位置均匀分布。

3.一种气体流量控制装置，其特征在于，该气体流量控制装置设置在半导体刻蚀设备上，所述的气体流量控制装置包含：

气体喷淋头(3)，其设置在半导体刻蚀设备的反应腔(1)内部，位于晶片(2)上方，该气体喷淋头(3)包含圆形进气区域和至少一个同心设置的环形进气区域，所述圆形进气区域和环形进气区域互相隔离，且圆形进气区域和环形进气区域的下表面包含多个气体通孔(4)用于通入反应气体，每一个环形进气区域又包含多个扇形区域，不同的扇形区域之间互相隔离，每一个扇形区域都具有一个供气通道；

多个气体管路(5)，其分别连接气体喷淋头(3)上的多个扇形区域对应的多个供气通道；

多个电子开关阀门(6)，其分别设置在每一个气体管路(5)上，每一个电子开关阀门(6)都连接控制器，用于控制气体管路(5)的通断；

多个限流器(9)，其分别设置在每一个气体管路(5)上，用于保证气体管路上的流量稳定；

一个流量控制器(7)，其包含一个输出端联通到环形进气区域上的所有气体管路(5)，用于控制提供给环形进气区域的总气量；

气源(8)，其管路连接所述流量控制器(7)，用于提供反应气体；

所述控制器控制所述每一个电子开关阀门(6)交替通断，使得反应气体流入不同扇形区域的流量比例与各个扇形区域对应的电子开关阀门(6)的开通时间成正比。

4.如权利要求3所述的气体流量控制装置，其特征在于，所述的气体喷淋头(3)上的环形进气区域的数量大于等于2个，每一个环形进气区域上的扇形区域的数量大于等于2个，圆形进气区域和每一个扇形区域上的气体通孔(4)的数量大于等于2个，且气体通孔(4)的位置均匀分布。

5.一种气体流量控制方法，其特征在于，利用如权利要求1或2所述的气体流量控制装置实现对每一个环形进气区域的气体流量控制，连接环形进气区域的流量控制器(7)控制提供给该环形进气区域的总气量Q，控制器控制环形进气区域上所有气体管路上的电子开关阀门(6)轮流开启，同一时间内，只允许一个电子开关阀门开启。

6.一种气体流量控制方法，其特征在于，利用如权利要求1-4中任意一个所述的气体流量控制装置实现对每一个环形进气区域的气体流量控制，连接环形进气区域的流量控制器(7)控制提供给该环形进气区域的总气量Q，控制器控制环形进气区域上所有气体管路上的电子开关阀门(6)轮流关闭，同一时间内，只允许一个电子开关阀门关闭。