[发明专利]一种双电源功率放大器电路有效
申请号: | 201611161806.4 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106603023B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 王俊;李斌;王文廷;吕士如 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/45 |
代理公司: | 34102 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张建宏 |
地址: | 233006 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双电源 功率放大器 电路 | ||
本发明公开了一种双电源功率放大器电路,包括有输入电路,偏置电路和输出电路组成;偏置电路是由NPN晶体管V4、电阻R2—R4、电容C3和数字偏置电路组成。数字偏置电路包括有依次连接的现场可编程门阵列FPGA、光耦隔离电路和可编程数字电位计D1,可编程数字电位计D1的两输出端分别与电阻R2的另一端、电阻R3的另一端连接。本发明采用现场可编程门阵列FPGA产生可编程数字电位计的控制信号,使其产生需要的可变电阻,来组成VBE扩大电路,从而调节功率管的偏置电压,实现了偏置电路数字化设计,避免出现交越失真,实现自动校准。
技术领域
本发明涉及半导体器件分析相关技术领域,具体是一种双电源功率放大器电路。
背景技术
随着半导体器件制造技术、电力电子技术的发展和复杂自动测试的需求,常规的电压-电流(IV)测量和电容-电压(CV)测量已经无法满足半导体器件测试需求,需要高精度大电流脉冲源来测试其动态性能特性。
常用的直流输入大电流脉冲源框图如图1所示。由DC-DC变换、脉冲产生、控制电路、驱动隔离电路、采样电路、辅助电源和人机接口组成,在框图中有三个关键的电路:DC-DC变换、脉冲产生和控制电路,特别是脉冲产生电路提供了整个输出功率,在设计时通常采用双电源功率放大电路实现大电流脉冲的输出,但是双电源功率放大电路的使用,在没有直流偏置的情况下,容易产生死区,在模拟电路上这种现象称为交越失真。为了解决这个问题,通常采用二极管(图2)或者VBE扩大电路(图3)进行偏置补偿。采用二极管进行偏置补偿时,由于偏置电压不容易调整,故不经常使用。设计人员在设计时通常使用VBE扩大电路来进行偏置补偿,在产品出厂前将偏置电压进行校准,但是在半导体器件分析测试时,由于测试环境不同,特别是环境温度的影响,造成双电源功率放大电路的功率管特性改变,需要自动校准偏置电压,否则会出现交越失真。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种双电源功率放大器电路,采用可编程数字电位计实现双电源功率放大器数字偏置补偿,使双电源功率放大器电路自动校准成为现实。
本发明的技术方案为:
一种双电源功率放大器电路,包括有输入电路,偏置电路和输出电路组成;所述的偏置电路是由NPN晶体管V4、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C3和数字偏置电路组成,所述的电阻R3的一端、电阻R4的一端均与NPN晶体管V4的基极连接,所述的电阻R2的一端、电容C3的一端均与NPN晶体管V4的集电极连接,所述的电阻R4的另一端、电容C3的另一端均与NPN晶体管V4的发射极连接,所述的NPN晶体管V4的集电极和发射极连接于输入电路和输出电路之间;所述的数字偏置电路包括有依次连接的现场可编程门阵列FPGA、光耦隔离电路和可编程数字电位计D1,所述的可编程数字电位计D1的两输出端分别与电阻R2的另一端、电阻R3的另一端连接。
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