[发明专利]一种氮化硅宽频带透波材料

权利要求书

1.一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：所述的材料包括七层，所述的材料通过以下步骤制造：

步骤一，将浆料材料Si₃N₄粉体、Al₂O₃粉体、Y₂O₃粉体、造孔剂、丙烯酸分散剂、液体乙醇和聚乙烯醇混合为物料，其中Si₃N₄粉体、Al₂O₃粉体、Y₂O₃粉体、造孔剂、丙烯酸分散剂、液体乙醇和聚乙烯醇混合物比例为1：x1：x2：x3：x4：x5；将物料在200～500r/min转速下球磨24～48小时后制得浆料；

步骤二，将浆料真空除泡后在玻璃基板上流延成型，流延过程中刮刀速度为5～30cm/min；将流延成型的浆料在真空20-80℃条件下进行干燥成型，干燥时间为0.5～20小时；

第一、三、五、七层材料配比相同，厚度均为0.4mm，介电常数均为3.2；其中x1＝0.04，x2＝0.03，x3＝0.08，x4＝0.02，x5＝8；

从上至下第二、四、六层材料配比相同，厚度均为1.5mm，介电常数均为1.2；其中x1＝0.03，x2＝0.06，x3＝0.4，x4＝0.06，x5＝18；

步骤三，等静压成型将七层氮化硅材料按顺序交替叠放入模具中，进行等静压成型，得到陶瓷胚体，等静压条件为：压强1～50MPa、时间为0.5～10小时、温度为20～100℃；

步骤四，排胶等静压成型后，将陶瓷胚体中的有机物去除，排胶条件为：升温速率5～10℃/min、在100～600℃保温1～5小时，得到陶瓷素胚；

步骤五，热压烧结将陶瓷素胚放入模具中进行热压烧结，烧结条件为：升温速率5～10℃/min、烧结温度为800～1800℃、压力为0.5～10MPa、保温时间为2～10小时；得到多层氮化硅陶瓷材料。