[发明专利]一种温度传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611162089.7 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN108225600A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 魏斌;徐翀;王松岑;高超 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司
主分类号: G01K11/32 分类号: G01K11/32
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 温度传感器 光子晶体 传输光纤 制备 抗电磁干扰能力 温度信号采集 外部表面 传感器 增敏 传输
【权利要求书】:

1.一种温度传感器,其特征在于,所述温度传感器包括光子晶体和两个传输光纤,所述光子晶体的两端分别与所述传输光纤连接;所述光子晶体的外部表面上敷设有温度增敏层。

2.如权利要求1所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述传输光纤为多模光纤,其一端为锥形结构,另一端为圆柱形结构;

所述光子晶体的两端分别与所述锥形结构连接,所述圆柱形结构的直径为125微米。

3.如权利要求1所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述光子晶体的外部表面上设有一排光栅,所述温度增敏层覆盖所述光栅。

4.如权利要求1所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述光子晶体的内部包括多个贯穿所述光子晶体的气孔,该气孔内部填充荧光材料。

5.如权利要求1-4任一项所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述光子晶体的材料为掺杂氧化锗的硅。

所述光子晶体为圆柱形光子晶体,其外径为50~100微米,长度为1~5厘米;

所述光子晶体中气孔为圆柱形气孔,其直径为0.5~50微米。

6.如权利要求1或3所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述温度增敏层为采用聚二甲基硅氧烷构成的保护层,其厚度小于10微米。

7.如权利要求2所述的一种温度传感器,其特征在于,

所述锥形结构的锥形角为3°~60°。

8.一种温度传感器的制备方法,其特征在于,所述温度传感器包括光子晶体和两个传输光纤;所述制备方法包括:

在所述光子晶体的外部表面涂覆聚二甲基硅氧烷,形成温度增敏层;

将所述两个传输光纤分别与光子晶体的两端连接。

9.如权利要求8所述的一种温度传感器的制备方法,其特征在于,所述将两个传输光纤分别与光子晶体的两端连接之前包括:

分别在所述两个传输光纤的一端形成锥形结构,在另一端形成圆柱形结构;将所述两个传输光纤的锥形结构分别与光子晶体的两端连接。

10.如权利要求8所述的一种温度传感器的制备方法,其特征在于,所述在光子晶体的外部表面涂覆聚二甲基硅氧烷之前包括:

在所述光子晶体的外部表面上刻写一排光栅。

11.如权利要求8所述的一种温度传感器的制备方法,其特征在于,所述在光子晶体的外部表面涂覆聚二甲基硅氧烷之前包括:

在所述光子晶体的内部形成多个贯穿所述光子晶体的气孔,并在所述的多个气孔内填充荧光材料。

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