[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构

权利要求书

1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一无机层(20)，所述第一无机层(20)覆盖所述OLED器件(10)；

步骤2、在所述第一无机层(20)上形成有机光阻层(30)；

步骤3、对所述有机光阻层(30)进行曝光、显影，所述有机光阻层(30)上被显影掉的区域在第一无机层(20)上限定出外围限定区域(21)；

步骤4、在所述有机光阻层(30)与第一无机层(20)的外围限定区域(21)上沉积致密材料层(40)，所述致密材料层(40)的厚度小于所述有机光阻层(30)的厚度，制得一待剥离基板(50)；

步骤5、将整个待剥离基板(50)浸泡在光阻剥离液中，在去除所述有机光阻层(30)的同时，位于所述有机光阻层(30)上方的致密材料层(40)随所述有机光阻层(30)一起被剥离掉，位于所述第一无机层(20)的外围限定区域(21)上的致密材料层(40)被保留下来，形成第一外围限定层(45)；

步骤6、在所述第一无机层(20)上被所述第一外围限定层(45)包围的区域内涂布有机材料，涂布的有机材料的厚度小于所述第一外围限定层(45)的厚度，形成第一有机层(60)；

步骤7、在所述第一有机层(60)与第一外围限定层(45)上形成第二无机层(70)；

所述步骤6中，利用旋涂、网印、狭缝旋涂、点胶、或者喷墨打印的方式形成第一有机层(60)；所述第一有机层(60)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种；所述第一有机层(60)的厚度为0.5μm-3μm。

2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤4中，采用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射、或者蒸镀的方式沉积致密材料层(40)；所述致密材料层(40)的材料包括类金刚石、锆铝酸盐、石墨烯、银、铝、氮化铝、及铜中的一种或多种；所述致密材料层(40)的厚度为0.5μm-3μm。

3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤8、在所述第二无机层(70)上形成层叠设置的数个封装单元(80)，所述封装单元(80)包括第二外围限定层(85)、设于第二外围限定层(85)内侧被所述第二外围限定层(85)包围起来的第二有机层(90)、以及设于所述第二外围限定层(85)与第二有机层(90)上的第三无机层(95)；所述第二有机层(90)的厚度小于所述第二外围限定层(85)的厚度。

4.如权利要求3所述的OLED封装方法，其特征在于，所述层叠设置的数个封装单元(80)包括至少一个封装单元(80)；

所述第二外围限定层(85)的制备方法与所述第一外围限定层(45)相同，所述第二外围限定层(85)的位置与所述第一外围限定层(45)的位置上下对应，所述第二外围限定层(85)的材料和厚度与所述第一外围限定层(45)相同；

所述第二有机层(90)的制备方法与所述第一有机层(60)相同，所述第二有机层(90)的材料和厚度与所述第一有机层(60)相同。