[发明专利]一种等离子处理器、刻蚀均匀性调节系统及方法

权利要求书

1.一种刻蚀均匀性调节系统，连接一等离子处理器，该等离子处理器包含一等离体子反应腔，该等离子体反应腔内具有通过一用于放置晶圆的基座，基座与反应腔侧壁之间具有限制环（1）与接地环（2），其中限制环（1）上具有多个气体通道用于将等离子体限制在限制环上方，接地环由导体制成并且电接地，其特征在于，该刻蚀均匀性调节系统包含若干反馈调节装置以及一连接上述反馈调节装置的计算控制单元（3）；

其中，每个所述的反馈调节装置分别包含：

电流监视器（41），安装在等离子体反应腔的限制环（1）与接地环（2）之间，并连接所述的计算控制单元（3），用于对流过其所在区域的限制环（1）与接地环（2）之间的电流进行监视；

主动升降机（42），安装在等离子体反应腔的限制环（1）与接地环（2）之间并位于上述电流监视器（41）的对应位置，用于对上述电流监视器所在区域的限制环（1）与接地环（2）之间的间隙进行调整；

其中，计算控制单元（3）通过若干电流监视器（41）根据获取得到的限制环（1）与接地环（2）之间各区域的电流分布大小控制主动升降机（42）调节限制环（1）与接地环（2）之间的间隙。

2.如权利要求1所述的刻蚀均匀性调节系统，其特征在于：

所述限制环（1）与接地环（2）之间设有3个及以上的反馈调节装置。

3.如权利要求1所述的刻蚀均匀性调节系统，其特征在于：

所述若干反馈调节装置均匀分布于限制环（1）与接地环（2）之间的各个区域。

4.如权利要求1或3所述的刻蚀均匀性调节系统，其特征在于：

所述限制环（1）包含限制环本体（11）以及设置在限制环本体（11）外圈的支撑部（12），所述反馈调节装置安装在该支撑部（12）与接地环（2）之间。

5.如权利要求1所述的刻蚀均匀性调节系统，其特征在于，其中：

每个反馈调节装置中的电流监视器（41）位于对应主动升降机（42）的中心。

6.如权利要求1所述的刻蚀均匀性调节系统，其特征在于：

接地环（1）与限制环（2）之间间隔距离的范围为：大于等于0.2毫米。

7.一种刻蚀均匀性调节方法，采用一刻蚀均匀性调节系统完成，该刻蚀均匀性调节系统连接一等离子处理器，该等离子处理器包含一等离体子反应腔，该等离子体反应腔内具有通过电容耦合方式实现射频电功率的传输的限制环（1）与接地环（2），其特征在于，该调节方法包含：

在限制环（1）与接地环（2）之间设置若干反馈调节装置，并将该若干反馈调节装置连接一计算控制单元（3），每个所述反馈调节装置分别包含一安装在限制环（1）与接地环（2）之间的电流监视器（41）以及主动升降机（42）；

若干电流监视器（41）对流过其所在区域的限制环（1）与接地环（2）之间的电流进行实时监视，并将监视结果反馈给计算控制单元（3）；

计算控制单元（3）通过接收到的电流分布值对若干主动升降机（42）分别发出主动连续调节指令；

若干主动升降机（42）根据主动调节指令调节其所在区域的限制环（1）与接地环（2）之间的间隙和分布电容，从而完成对流过该区域的限制环（1）与接地环（2）之间的电流的调节。

8.一种等离子处理器，其特征在于：包含如权利要求1~5中任意一项所述的刻蚀均匀性调节系统。