[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有第一区和第二区；

第一中间绝缘层，在所述基板上并限定开口；

导电图案，在所述开口中，在所述基板的所述第二区上限定空气间隙，所述空气间隙被限定在所述导电图案之间；

第一至第四绝缘图案，依次堆叠在所述基板的所述第一区上以覆盖所述导电图案，且在所述第一至第四绝缘图案中的相邻层之间形成界面；和

第二中间绝缘层，在所述第四绝缘图案上，

其中所述第四绝缘图案延伸为包括覆盖所述第二区上的所述导电图案的至少一部分，以及

其中在所述第一区中所述第一绝缘图案与所述导电图案接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第四绝缘图案覆盖所述第二区上的所述导电图案的顶表面和侧表面。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一中间绝缘层具有位于所述导电图案之间的凹陷区，

所述第四绝缘图案覆盖所述凹陷区的底表面和侧表面，和

所述空气间隙在所述凹陷区中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述空气间隙在所述第四绝缘图案和所述第二中间绝缘层之间。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第四绝缘图案在所述第二区上具有比在所述第一区上低的底表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述导电图案包括：

阻挡图案，在所述开口的底表面和侧表面上；和

金属图案，在所述阻挡图案上，

其中所述金属图案包括第一部分和第二部分，

所述金属图案的所述第一部分的顶表面低于所述金属图案的所述第二部分的顶表面和所述阻挡图案的顶表面，和

与所述第二部分相比，所述第一部分更靠近所述阻挡图案的侧表面。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述金属图案和所述第一绝缘图案以无空隙方式彼此直接接触。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三绝缘图案延伸为具有插置在所述基板的所述第二区上的所述导电图案和所述第四绝缘图案之间的至少一部分。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三绝缘图案在所述第二区上与所述导电图案的顶表面直接接触，所述第三绝缘图案由不含氧材料形成。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第四绝缘图案在所述第二区上与所述导电图案的顶表面直接接触，所述第四绝缘图案由不含氧材料形成。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第四绝缘图案在所述空气间隙和所述第一中间绝缘层之间。

12.一种半导体器件，包括：

基板；

中间绝缘层，在所述基板上并限定开口；

阻挡图案，在所述开口的底表面和侧表面上；

金属图案，在所述开口中并在所述阻挡图案上，所述金属图案包括第一部分和第二部分，该第一部分暴露出所述阻挡图案的内侧表面，该第二部分具有比所述第一部分的顶表面高的顶表面；和

第一至第四绝缘图案，依次堆叠在所述中间绝缘层和所述金属图案上，且在所述第一至第四绝缘图案中的相邻层之间形成界面，

其中所述第一绝缘图案具有与所述金属图案的所述第一部分的所述顶表面和所述第二部分的所述顶表面接触的底表面。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一绝缘图案的所述底表面与所述阻挡图案的所述内侧表面接触。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述金属图案和所述第一绝缘图案以无空隙方式彼此直接接触。