[发明专利]用于半导体激光器的驱动电路在审

专利信息
申请号: 201611166206.7 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN106711757A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 焦运才;王国芳;林滨;吴杰;郑锐 申请(专利权)人: 山东北方光学电子有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 代理人: 李茜
地址: 271000 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体激光器 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种用于半导体激光器的驱动电路,其特征是:包含有具有转化器LT的驱动电路本体,转化器LT的型号设置为LT3743。

2.根据权利要求1所述的用于半导体激光器的驱动电路,其特征是:按照对电压模块化转换的方式集成转化器LT的技术特征。

3.根据权利要求1所述的用于半导体激光器的驱动电路,其特征是:驱动电路本体设置为还包含有电阻R1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、

MOS管M1、电容C7、二极管D2、电容C8、MOS管M2、电感L1、电感L2、电感L3、电阻R2、MOS管M3、二极管D1、电容C9、电阻R3和电阻R4,

转化器LT设置有接口EN/UWLO、接口PWM、接口CTRL-SEL、接口RT、接口SYNC、接口VREF、接口CTRL-H、接口CTRL-L、接口CTRL-T、接口SS、接口VCL、接口VCH、

接口Vin、接口HG、接口CBOOT、接口SW、接口Vincc-INT、接口LG、接口GND、接口SENSE+、接口SENSE-、接口PWMGL和接口FB,

电阻R1的一端设置为与转化器LT的接口RT连接并且电阻R1的另一端设置为与地连接,转化器LT的接口SYNC和接口CTRL-L分别设置为与地连接,电容C1的一端设置为与转化器LT的接口VREF连接并且电容C1的另一端设置为与地连接,电容C2的一端设置为与转化器LT的接口SS连接并且电容C2的另一端设置为与地连接,电容C3的一端设置为通过电感L2与转化器LT的接口VCL连接并且电容C3的另一端设置为与地连接,电容C4的一端设置为通过电感L3与转化器LT的接口VCH连接并且电容C4的另一端设置为与地连接,

转化器LT的接口Vin、电容C5的一端、电容C6的一端和MOS管M1的S极设置为相互连接并且电容C5的一端和电容C6的一端分别设置为与地连接,转化器LT的接口HG 设置为与MOS管M1的G极连接并且转化器LT的接口CBOOT、二极管D2的负极和电容C7的一端设置为相互连接,MOS管M1的D极、电容C7的另一端、MOS管M2的S极和转化器LT的接口SW设置为相互连接并且转化器LT的接口SW、二极管D2的正极、电感L1的一端、转化器LT的接口Vincc-INT和电容C8的一端设置为相互连接,转化器LT的接口LG、电容C8的另一端和MOS管M2的G极设置为相互连接并且转化器LT的接口LG和接口GND和MOS管M2的D极设置为相互连接,MOS管M2的D极设置为与地连接并且电感L1的另一端、电阻R2的一端和转化器LT的接口SENSE+设置为相互连接,电阻R2的另一端、转化器LT的接口SENSE-、MOS管M3的S极、二极管D1的负极、电阻R3的一端和电容C9的一端设置为相互连接并且二极管D1的正极和电容C9的另一端分别设置为与地连接,MOS管M3的G极设置为与转化器LT的接口PWMGL连接并且MOS管M3的D极设置为与地连接,电阻R3的另一端、转化器LT的接口FB和电阻R4的一端设置为相互连接并且电阻R4的另一端设置为与地连接。

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