[发明专利]一种双面电池边缘隔离的方法

说明书

本申请公开了一种双面电池边缘隔离的方法，包括：提供一硅棒；在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环；对所述硅棒进行切片并制成双面电池，这种绝缘环将之后扩散会掺杂的边缘与硅片中间有PN结的区域隔离开，这样就不会造成短路，有效地保护PN结，从而达到防止漏电的效果。本申请提供的上述双面电池边缘隔离的方法，能够从源头断绝漏电的发生，而且可以提高效率，降低成本。

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种双面电池边缘隔离的方法。

背景技术

随着单晶双面电池技术越来越成熟，效率越来越高，衰减也比多晶更低，应运而生的双玻组件也越来越受市场青睐。但是，因为在正反面两次扩散过程中，常规扩散方式会让硅片四周形成重掺而导电，直接将上下两个电极接通，而造成漏电。

现有技术中，会采用离子注入设备进行正反面的扩散工艺，这样就能够避免掺杂元素扩散到硅片四周，但是这种设备昂贵，成本高，用于量产的可行性不大，效率低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种双面电池边缘隔离的方法，能够从源头断绝漏电的发生，而且可以提高效率，降低成本。

本发明提供的一种双面电池边缘隔离的方法，包括：

提供一硅棒；

在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环；

对所述硅棒进行切片并制成双面电池。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环为：

在所述硅棒的外周部注入氧离子，所述氧离子在所述硅棒内形成二氧化硅环。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒的外周部注入预设离子包括：

利用氧气或臭氧为源气体，在所述硅棒的外周部注入氧离子。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒内形成二氧化硅环为：

在所述硅棒内形成厚度范围为7微米至13微米的二氧化硅环。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒内形成二氧化硅环为：

在所述硅棒内形成外圆位置距离所述硅棒表面17微米至23微米的二氧化硅环。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环为：

在所述硅棒的外周部注入氢离子，所述氢离子在所述硅棒内形成绝缘环。

优选的，在上述双面电池边缘隔离的方法中，所述在所述硅棒的外周部注入预设离子为：

在350℃至450℃的条件下，在所述硅棒的外周部注入预设离子。

通过上述描述可知，本发明提供的上述双面电池边缘隔离的方法，由于包括：提供一硅棒；在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环；对所述硅棒进行切片并制成双面电池，利用制作的绝缘环来将扩散后的PN结和边缘重掺的地方隔离开来，因此能够从源头断绝漏电的发生，而且可以提高效率，降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。