[发明专利]非晶体二氧化硅处理剂及用其处理污水的工艺

权利要求书

1.一种非晶体二氧化硅处理剂，其特征在于它由非晶体二氧化硅产品与絮凝剂按下列质量比混合而得：

非晶体二氧化硅产品: 絮凝剂 = 6.5-7.9 : 3.5-2.1；

所述絮凝剂为硫酸铝、三氯化铁中的一种或二种，且二种的混合均为任意质量比；

所述非晶体二氧化硅产品通过下列方法制得：将硅藻土磨细至0.074mm，加水混合成质量浓度为30-45%的矿浆,在130-200转/分的条件下擦洗20-25分钟,再加水稀释矿浆浓度至15-25%，在1440-2800转/分的条件下分散2-5分钟,同时按每吨原矿加入20-25克的量，加入分散剂，经一级分离，把硅藻土中的晶体二氧化硅杂质分离去除；再经二级分离，使非晶体二氧化硅沉降，而硅藻土中的杂质：蒙托石、伊利石、高岭石、水涓云母则随水分离去除；沉降的非晶体二氧化硅经烘干后，得非晶体二氧化硅产品；所述分散剂为六偏磷酸钠、偏硅酸钠、氢氧化钠中的一种或几种，且几种的混合均为任意质量比；

所述非晶体二氧化硅产品为含结晶水的蛋白石组成的硅藻，化学成分是非晶体二氧化硅，其结构是纳米微孔；

所述非晶体二氧化硅产品中：化学成分非晶体二氧化硅比重为2.2-2.4、含量为65-85%，晶体二氧化硅比重为2.6、含量为1-5%，铅≦50 PPM，砷≦6 PPM，烧损量≦5%，pH值 6-8，紧堆密度≦0.45；

所述非晶体二氧化硅产品中的硅藻量占70-90%。

2.一种用权利要求1所述非晶体二氧化硅处理剂处理污水的方法，包括下列处理系统及处理步骤：

所述处理系统如下：调节池、格栅、旋流沉砂设备、厌氧池、好氧池、鼓风机、消毒设备，储泥池、储水池及非晶体二氧化硅处理设备；

所述处理步骤包括：对污水pH值进行调节、对污水中漂浮物和粗砂进行分离、对污水进行好氧和厌氧处理或/和对污水进行消毒杀菌处理的常规步骤；

其特征在于还包括对污水进行的下列非晶体二氧化硅处理剂处理：

A、将污水送入非晶体二氧化硅处理设备之前，按每吨污水投放20-100克的量，向污水中投入非晶体二氧化硅处理剂；

B、将混合有非晶体二氧化硅处理剂的污水，以2-3m/s的流速送入非晶体二氧化硅处理设备的竖直进水管即一室中，再进入竖直进水管与筒体之间的二室中，最后进入澄清池中，使污水流速随澄清池截面积的扩大而减慢至0.1-0.5mm/s，让非晶体二氧化硅处理剂在对污水中的污染物充分吸附、絮凝的同时，在澄清池中自然形成非晶体二氧化硅钠米微孔过滤层，从而过滤污染物和水,清水以0.1-0.5mm/s的上升速度上升后经过出水堰槽后从出水口溢出，污染物以0.5-1.5mm/s速度沉降至底部后，经排泥口排出。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述污水在非晶体二氧化硅处理设备中的停留时间为3-5小时。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述非晶体二氧化硅处理设备，包括带空腔的锥形壳体，其特征在于锥形壳体上部设有出水堰槽、底部设有排泥口，在空腔中心位置设有竖直进水管，该竖直进水管内部为一室，该竖直进水管的上端敞开、下端穿过锥形壳体底部向外延伸，在空腔中并位于竖直进水管外围设有筒体，该筒体与竖直进水管之间为二室，该筒体的上端与锥形壳体顶部相连，下端与锥形壳体底部保持间距，筒体与锥形壳体壁之间为澄清池。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述出水堰槽包括大圈槽、中圈槽、小圈槽，在小圈槽与大圈槽之间设有径向长条槽，在中圈槽与大圈槽之间设有径向短条槽，且大圈槽、中圈槽、小圈槽、径向长条槽、径向短条槽相互连通，每条槽的两侧边均设为齿边。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述锥形壳体壁的倾斜角为45-55度。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述锥形壳体为圆锥形或多边锥形。