[发明专利]半导体存储器及其操作方法

说明书

本发明的实施例公开了一种包括第一存储单元、第二存储单元、第一导线和第二导线的器件及其操作方法。第一导线与第二导线电断开。第一导线接收用于多个第一存储器单元的第一电源电压。第二导线接收用于多个第二存储器单元的第二电源电压，第二电源电压独立于第一电源电压。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体存储器件及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件包括例如静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。在一些方法中，SRAM器件包括SRAM阵列，并且SRAM阵列包括存储器单元。存储器单元通常包括连接至位线和字线的晶体管。位线和字线用于从存储器单元读取数据和向存储器单元写入数据。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：多个第一存储器单元和多个第二存储器单元；以及第一导线和第二导线，其中，所述第一导线与所述第二导线电断开；所述第一导线被配置为接收用于所述多个第一存储器单元的第一电源电压；和所述第二导线被配置为接收用于所述多个第二存储器单元的的第二电源电压，所述第二电源电压独立于所述第一电源电压。

根据本发明的另一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：多个存储器单元；以及头部电路，被配置为为所述多个存储器单元提供第一电源电压，并且在写入操作期间为所述多个存储器单元提供小于所述第一电源电压的第二电源电压。

根据本发明的又一个方面，提供了一种用于操作半导体存储器件的方法，包括：提供用于多个存储器单元的电源电压；以及在写入操作期间，为所述多个存储器单元提供小于所述电源电压的第一电压。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A是根据本公开的一些实施例的静态随机存取存储器(SRAM)器件的示意图；

图1B是根据本公开的一些实施例的图1A中的SRAM器件的一个存储器单元的电路图；

图2A是根据本公开的一些实施例的包括与存储器单元相关联的电路的图1A中的SRAM器件的示意图；

图2B是根据本公开的各个实施例的包括与存储器单元110相关的电路的图1A中的SRAM器件100的示意图。

图3是示出根据本公开的一些实施例的图2A中的SRAM器件的操作的方法的流程图；

图4是根据本公开的一些实施例的施加在图2A中的SRAM器件的信号的示意性时序图；以及

图5是根据本公开的各种实施例的包括与存储器单元相关的各种电路的图1A中的SRAM器件的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

本说明书中使用的术语通常具有它们在本领域和使用每个术语的特定上下文中的普通含义。本说明书中的示例的使用，包括本文所讨论的任何术语的示例，仅是说明性的，并且决不限制本公开或任何示例性术语的范围和含义。同样，本公开不限于本说明书中给出的各种实施例。