[发明专利]具有改进的热和电性能的半导体装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

载体；

布置在所述载体的第一表面之上的半导体芯片；

包封本体，所述包封本体包括六个侧表面并且包封所述半导体芯片，其中，所述载体的与它的所述第一表面相反的第二表面从所述包封本体暴露；

电接触元件，所述电接触元件电耦接至所述半导体芯片，并且仅穿过所述包封本体的在它的所有所述侧表面中具有最小表面面积的两个相反的侧表面从所述包封本体突出出来；以及

布置在所述载体的暴露的第二表面之上的电绝缘层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电绝缘层包括二氧化硅、氟掺杂的二氧化硅、碳掺杂的二氧化硅、聚合物电介质、氮化物、金属氧化物中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述电绝缘层具有50微米至500微米的范围内的厚度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述电绝缘层的背向所述载体的表面是暴露的。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述电绝缘层的暴露的表面被配置为耦接至散热器。

6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述载体包括引线框架的芯片焊盘，所述电接触元件包括所述引线框架的引线。

7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述电接触元件的从所述包封本体突出出来的部分在朝所述装置的安装水平面的方向上弯曲。

8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述装置被配置为使用表面贴装技术或通孔技术安装在接触表面上。

9.一种装置，包括：

载体；

布置在所述载体的第一表面之上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；

包封本体，所述包封本体包括六个侧表面并且包封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，其中，所述载体的与它的所述第一表面相反的第二表面从所述包封本体暴露；以及

电接触元件，所述电接触元件电耦接至所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个，并且仅穿过所述包封本体的在它的所有所述侧表面中具有最小表面面积的两个相反的侧表面从所述包封本体突出出来。

10.根据权利要求9所述的装置，还包括：

布置在所述载体的暴露的第二表面之上的电绝缘层。

11.根据权利要求9或10所述的装置，其中，所述电接触元件包括：

第一电接触元件，所述第一电接触元件布置在所述两个相反的侧表面中的第一侧表面处并且与所述载体电绝缘，以及

第二电接触元件，所述第二电接触元件布置在所述两个相反的侧表面中的第二侧表面处并且与所述载体电绝缘。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的装置，其中，所述载体将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电耦接。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一半导体芯片包括第一功率晶体管，所述第二半导体芯片包括第二功率晶体管，其中，所述载体将所述第一功率晶体管的第一漏极电极与所述第二功率晶体管的第二漏极电极电耦接。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述第一电接触元件电耦接至所述第一功率晶体管的第一源极电极和第一栅极电极，所述第二电接触元件电耦接至所述第二功率晶体管的第二源极电极和第二栅极电极。

15.根据权利要求9或10所述的装置，其中，所述载体包括第一子载体以及与所述第一子载体电绝缘的第二子载体。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第一半导体芯片包括布置在所述第一子载体之上的第一功率晶体管，所述第二半导体芯片包括布置在所述第二子载体之上的第二功率晶体管。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述电接触元件包括：

布置在所述两个相反的侧表面中的第一侧表面处的第一电接触元件，其中，所述第一电接触元件包括电耦接至所述载体的电接触元件以及与所述载体电绝缘的电接触元件，以及

布置在所述两个相反的侧表面中的第二侧表面处的第二电接触元件，其中，所述第二电接触元件包括电耦接至所述载体的电接触元件以及与所述载体电绝缘的电接触元件。