[发明专利]一种基于微流控沟道系统的海水净化装置及其制备方法

权利要求书

1.一种基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，该装置包含：

衬底（500），

设置在衬底（500）上的液体沟道，以及

设置在液体沟道上用于定义并密封液体沟道的上盖板（600）；

所述的液体沟道包含：

去离子沟道（300），

设置在去离子沟道（300）两侧的电极对（400），

设置在去离子沟道（300）与电极对（400）之间的介质层（700），以及

与去离子沟道（300）相连通的进口沟道（100）和出口沟道（200）；

所述的出口沟道（200）包含：净水出口沟道（202），阴离子出口沟道（201），以及阳离子出口沟道（203）；所述的净水出口沟道（202）用于净化后的液体流出；所述的阴离子出口沟道（201）用于富含阴离子的废液流出；所述的阳离子出口沟道（203）用于富含阳离子的废液流出。

2.根据权利要求1所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的净水出口沟道（202）设置在阴离子出口沟道（201）和阳离子出口沟道（203）之间。

3.根据权利要求1所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的介质层（700）覆盖在电极对（400）的外壁上。

4.根据权利要求1所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的电极对（400）为立体电极，其包含正极（402）和负极（401）；所述的正极（402）和负极（401）之间电气隔离。

5.根据权利要求4所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的正极（402）与所述的阴离子出口沟道（201）相邻，所述的负极（401）与所述的阳离子出口沟道（203）相邻。

6.根据权利要求1所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的衬底（500）采用绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置，其特征在于，所述的介质层（700）采用高介电常数材料，该高介电常数材料包括：硅、五氧化二钽和二氧化硅中的任意一种或两种以上。

8.一种根据权利要求1-7中任意一项所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置的制备方法，其特征在于，该制备方法包含：

步骤1：制备所述的液体沟道：在衬底（500）上制备包含进口 沟道（100）、去离子沟道（300）、出口沟道（200）的液体沟道；

步骤2：在去离子沟道（300）的两侧制备所述的介质层（700）；

步骤3：制备所述的电极对（400），电极对（400）之间电气隔离，电极对（400）与去离子沟道（300）之间通过介质层（700）隔离；

步骤4：将制备完成的液体沟道与上盖板（600）结合，获得基于微流控沟道系统的海水净化装置。

9.根据权利要求8所述的基于微流控沟道系统的海水净化装置的制备方法，其特征在于，步骤2中制备所述的介质层（700）时，在去离子沟道（300）的两侧制备用以放置电极对（400）的沟槽，该沟槽与去离子沟道（300）中间预留残余衬底材料为介质层（700）；

步骤3中所述的电极对（400）放置于所述的沟槽内。