[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部；

在所述鳍部侧壁和顶部上形成保护层；

在形成保护层之后，在所述鳍部侧壁和顶部上形成缓冲层，所述缓冲层的材料为非晶硅、非晶锗或非晶硅锗；

在形成缓冲层之后，在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面，形成所述隔离结构的步骤包括：在所述衬底上形成第一前驱体；对所述第一前驱体进行第一退火处理，形成初始隔离结构；

在所述隔离结构上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部顶部表面，所述隔离层的介电常数小于所述隔离结构的介电常数，所述隔离层的热膨胀系数小于所述隔离结构的热膨胀系数，形成所述隔离层的步骤包括：在所述隔离结构上形成第二前驱体；对所述第二前驱体进行第二退火处理，所述第一退火处理的退火温度小于第二退火处理的退火温度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的致密度大于所述隔离结构的致密度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅；形成所述隔离结构的工艺包括流体化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的退火温度小于800℃。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的退火温度为350℃～650℃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的退火温度为800℃～1000℃。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的厚度为3000nm～6000nm。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为2000nm～5000nm。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺包括高密度等离子化学气相沉积工艺或高深宽比沉积工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的工艺包括化学气相沉积工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20埃～50埃。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上具有多个鳍部，所述多个鳍部包括：第一鳍部；分别位于所述第一鳍部两侧的第二鳍部和第三鳍部，所述第一鳍部与第二鳍部相邻，所述第一鳍部与所述第三鳍部相邻，且所述第一鳍部与第二鳍部之间的间距不同于所述第一鳍部与第三鳍部之间的间距。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有鳍部；

位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；

位于所述隔离结构与鳍部之间、以及所述隔离层与鳍部之间的缓冲层，所述缓冲层的材料为非晶硅、非晶锗或非晶硅锗；

位于所述缓冲层和鳍部之间的保护层；

位于所述隔离结构上的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部顶部表面，所述隔离层的介电常数小于所述隔离结构的介电常数，所述隔离层的热膨胀系数小于所述隔离结构的热膨胀系数。